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华虹半导体最新推出90纳米超低漏电嵌入式闪存工艺平台

全球领先的特色工艺纯晶圆代工企业——华虹半导体有限公司今日宣布，最新推出90纳米超低漏电（Ultra-Low-Leakage，ULL）嵌入式闪存（eFlash）和电可擦可编程只读存储器（EEPROM）工艺平台，满足大容量微控制器（MCU）的需求

华虹半导体 90纳米漏电

2020-08-28 00:30
华虹半导体第二代90纳米嵌入式闪存工艺平台成功量产

全球领先的200mm纯晶圆代工厂——华虹半导体有限公司今天宣布其第二代90纳米嵌入式闪存(90nmG2eFlash)工艺平台已成功实现量产，技术实力和竞争力再度加强。华虹半导体在第一代90纳米嵌入式闪存(90nmG1eFlash)工艺技术积累的

华虹半导体 90纳米闪存工艺

2017-12-28 09:25