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带集成驱动和保护功能的高压GaN FET在工业和电信应用中将功率密度提高了一倍

德州仪器(TI)近日宣布推出支持高达10kW应用的新型即用型600V氮化镓(GaN)，50mΩ和70mΩ功率级产品组合。与AC/DC电源、机器人、可再生能源、电网基础设施、电信和个人电子应用中的硅场效应晶体管(FET)相比，LMG341x系列使

集成驱动高压GaN 功率密度

2018-10-31 09:21