三月以来DRAM价格因需求疲弱而迅速走跌，反观NAND闪存却因买气回流，报价触底反弹并强力上涨，两者报价走势终于恢复翘翘板格局，意即一者报价上涨、一者下滑，暗示产业走势开始恢复健康化。由于DRAM与N

DRAM现货价受到上周合约价大跌2成影响，近日表现也相对疲弱，根据DRAMeXchange昨晚报价，512MDDR2667均价正式跌破3美元大关，跌破业界普遍认定的底部支撑价，但目前还是没有见到谷底止

DRAM现货价受到上周合约价大跌2成影响，近日表现也相对疲弱，根据DRAMeXchange昨晚报价，512MDDR2667均价正式跌破3美元大关，跌破业界普遍认定的底部支撑价，但目前还是没有见到谷底止

记忆体模组大厂金士顿（Kingston）在NAND型快闪记忆体（Flash）产业上、下游布局的企图心来势汹汹！市场传出金士顿为掌握microSD后端封测产能，有意参与认购华泰（2329）新台币25亿元

自从微软（Microsoft）新作业系统Vista问世以来，不论是DRAM模组或是NAND型快闪记忆体（Flash）应用的需求都门户大开，因此从2006年第三季以来，鸿海（2317）欲入主记忆体模组厂

DRAM现货价受到上周合约价大跌2成影响，近日表现也相对疲弱，根据昨晚报价，512MDDR2667均价正式跌破3美元大关，跌破业界普遍认定的底部支撑价，但目前还是没有见到谷底止跌迹象，是否会在4、5月

可能是投资力成（6239）的例子太成功，几乎成为业界典范，因此金士顿（Kingston）对于跨入后端封测领域，始终保持着浓厚兴趣。在这次传出认购华泰私募前，金士顿与低阶封测厂晶扬秘密洽谈入主案，已有半

然而，是日本厂商原本就欠缺创新能力吗？事实并非如此。回顾半导体的发展历史可以看到，运用晶体管知识创造出无线电收音机这一产品的正是索尼创始人井深大。晶体管的放大作用在1947年被发现。最初，在美国曾用于

市场传出，鸿海积极跨入记忆体模组（NANDFlash）领域并已获英特尔（Intel）认证通过，另一方面，鸿海在DRAM记忆体模组领域也看上商丞，规划透过认购商丞可转债（CB）方式入股，达成在Flash

三月以来DRAM价格因需求疲弱而迅速走跌，反观NAND快闪记忆体却因买气回流，报价触底反弹并强力上涨，两者报价走势终于恢复翘翘板格局，意即一者报价上涨、一者下滑，暗示产业走势开始恢复健康化。由于DRA

保德信投信认为，美国经济转趋稳定，与美股连动性强的台股也可望受惠，而预估随着TFT面板业及DRAM价格可能在第二季陆续落底、供需可能提前出现紧俏，电子产业有机会开始反弹，中概股随着中国股市已回补之前股

四月份触底反弹可能性不高DRAM市场买气差，不单三月下旬合约价续跌，昨（廿六）日现货市场品牌颗粒报价更是首度跌破三美元，而此报价虽已相当接近DRAM厂每颗二．七美元至三美元的成本价，导致DRAM厂商濒

DXI为3,390.93,下跌37.36(1.09%)台湾市场：今日的DRAM市场，市场需求持续疲软，整体价格继续向下修正，买家大多仍是抱持着观望的态度，然而交易情况亦相当不佳。512Mb(64M*8

iSuppli认为，因为库存很多且需求低迷，对于DRAM供应商而言不幸之处在于进一步的降价是不可避免的。随着生产放缓，(库存)增长受到控制，NAND市场有望在今年第二季度触底。预计DRAM市场将在今年

近来NAND型快闪存储器（Flash）报价持续狂飙，NAND型Flash厂商表示，之所以会有这样的状态出现，主要在于东芝（Toshiba）已确定获得苹果（Apple）加码1季的订单，再加上全球第一大厂

苹果公司iPhone即将在六月在北美市场上市，新版本iPOD亦在第二季下旬推出，由于iPhone及iPOD均采用NAND为储存媒介，据通路业者指出，苹果已向三星、海力士、东芝、英特尔、美光等五大厂，包

DXI为3,428.29,下跌39.19(1.13%)台湾市场：今日的DRAM市场，市场持续冷清，需求仍是未见好转，整体价格再度呈现下滑，尤其在DDRII的部份，跌幅更加明显，然而交易情况亦不佳。51

NANDFlash（储存型快闪记忆体）因为受到国际大厂产能吃紧、以及下游IC通路商备料吃货的影响，高容量8GB现货价格昨天狂飙近15%，由于通路商认为手持装置中记忆卡需求量增，加上苹果新手机iPhon

针对隶属于美国北加州联邦地方法院的直接购买者（directpurchasers），控诉包含茂矽、南科多家DRAM业者的反垄断法民事集体诉讼一案，茂矽昨（23）日宣布，已与对方达成和解，和解金额1,50

这二天NAND晶片四月将缺货传言不断，许多通路商或交易商也开始回补NAND颗粒，所以NAND价格在盘商拉抬下大涨。相较于今年开春以来，NAND现货价在二个月内崩跌六成，这二天内却回涨了二五％，NAND