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三菱电机:提高MOSFET的电子迁移率“依然是课题”
在日本电化学协会电子材料委员会主办的“半导体及集成电路技术第75届研讨会”（2011年7月7日与8日在东京早稻田大学举行）上，三菱电机尖端技术综合研究所的古川彰彦登台演讲，介绍
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2012年全球半导体制造装置市场规模将达到438亿美元
国际半导体制造装置材料协会（SEMI）在“SEMICONWest2011”（2011年7月12~14日，美国旧金山）上发布了半导体制造装置市场的预测。据发布的预测显示，2010
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宜特科技获得TAF在LED LM-80光通维持率认可
宜特科技（IST）於日前宣布，已通过由美国国家环境保护局（EPA）授权机构-TAF（全国认证基金会）在LEDLM-80（光通维持率）的认可资格，正式启动LEDLM-80验证服务。据宜特表示，在获得认可
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300亿热钱扎堆LED 渗透速度超预期
“未来LED在通用领域的快速渗透，将是全球LED增长的主要驱动点。到2014年产业链的目标，渗透力要达到50%,”昨天召开的齐鲁证券2011年夏季投资论坛上，电子元器件行业研究
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蓝菲光学关于积分球涂料的声明
上海2011年7月12日，美国LabsphereInc.及其位于上海的全资子公司上海蓝菲光学仪器有限公司，于2011年6月29日就其积分球涂料声明如下：1.LabsphereInc.（蓝菲光学）从未授
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凤凰光学：用更开放的心态迎接挑战
思路一变天地宽，配角经济曾是成为带动凤凰发展的强力引擎，改变着凤凰的命运。换个角度看凤凰，让凤凰人看到了大发展的机遇和突破口：只有遵循市场经济规律，主动参与产业分工，才能巧借外力、以小搏大、发展自己。
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5年1500亿元惊天计划 长虹剑指全球第一
一向在彩电界低调的长虹日前向外界抛出了“3年1000亿元，5年1500亿元目标”的计划，长虹更是放言，3年内争做彩电龙头老大；3年内压缩机产销规模突破3000万台，实现市场占有
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【南京】南理工与南京天文光学技术研究所共建联合实验室
日前，南京理工大学与中国科学院南京天文光学技术研究所共建“天文光学超分辨探测联合实验室”合作协议签字仪式举行。南京理工大学校长王晓锋与南京天文光学技术研究所所长朱永田代表双方签
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全球照明资本角力 技术与营销谁改变未来
核心提示：这边厢，稀土价格暴涨，导致上游荧光粉价格半年间暴涨10倍，引发行业惊叹：未来中国节能灯市场将归于几家巨头。那边厢，在这两年，国内照明企这边厢，稀土价格暴涨，导致上游荧光粉价格半年间暴涨10倍
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宜特科技获得TAF在LED LM-80光通维持率认可
核心提示：宜特科技（IST）于日前宣布，已通过由美国国家环境保护局(EPA)授权机构-TAF(全国认证基金会)在LEDLM-80(光通维持率)的认可资格，正式启宜特科技（IST）于日前宣布，已通过由美
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美开发环境电磁能量收集技术成功驱动小型电子器件
核心提示：美国乔治亚理工学院(GeorgiaInstituteofTechnology)的研究人员开发出一种能量采集技术，能撷取广播电视发射器或是手机网络、卫美国乔治亚理工学院(GeorgiaInst
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LG Display拟抛售南京LED封装产线
据韩媒报导，LGDisplay正在讨论将中国南京LED封装产线抛售给位于产线附近的合作厂喜星电子(HeesungElectronics)，传闻LGDisplay已撤守LED封装产线员工，LGDispl
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扬州市LED照明产品国际认证研讨会召开
近日，扬州市发改委联合TUV南德意志集团举办了LED照明产品国际认证研讨会，帮助该市LED照明企业了解和掌握LED照明产品出口国际市场以及开展产品国际标准认证等方面的知识，进而突破贸易壁垒，以顺利通过
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2011年LED电视渗透率将达48.7% 延伸中小尺寸
7月13日消息，台湾拓墣产业研究所（TRI）日前在腾讯微博上发布了2011年上半年的彩电市场数据报告。从上半年彩电整体市场来看，中国大陆液晶电视市场需求疲软，销售量增长放缓，但对于2011下半年各厂商
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InGaN-on-Si长波LED设备第一次被证实
位于美国亚利桑那州凤凰城的玫瑰街实验室是一家产品和服务供应商，为私人所有，服务于可再生能源和半导体市场。它宣称第一个证实了基于硅片可以生产长波LED设备，其相比于传统蓝宝石或碳化硅衬底具有很大的成本优
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全球LED芯片企业集合及芯片巨头产品介绍
【台湾芯片厂商】晶元光电（Epistar）简称：ES、（联诠、元坤，连勇，国联）；华上（ArimaOptoelectronics）简称：AOC；新世纪（GenesisPhotonics）；鼎元（Tyn
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国内LED芯片厂商的概况
给大家一个基本的了解。并且希望大家能够支持国产，支持中国LED芯片的发展。LED产业方兴未艾，中国的LED产业应该坚持走自主研发，自主创新的路子，希望每一个中国的LED人能够心怀国家，奋发努力，自强不
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中微发布面向22纳米及以下芯片生产高频去耦合反应离子刻蚀设备 ― Pri
近日，中微半导体设备（上海）有限公司发布了面向22纳米及以下芯片生产的第二代300毫米甚高频去耦合反应离子刻蚀设备--PrimoAD-RIE™。产品将于3Q2011年付运。第一台Primo
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中微光电子成功入选首批“中国绿色照明教育示范基地”
近日，宁波中微光电子有限公司宣布，公司成功入选首批“中国绿色照明教育示范基地”。全国共8家企业入选。绿色照明教育示范基地评选活动，旨在应对全球气候变化，响应国际社会淘汰白炽灯潮流，推动中国绿色照明工程
