力晶：DRAM价格落底 5月下旬反弹 首季EPS 1.1元 下半年均价上看4美元

       力晶（5346）公布第1季财报，税后纯益75.33亿元，每股纯益（EPS）1.1元，符合市场预期数字。对于DRAM（动态随机存取记忆体）后势，力晶总经理谢再居表示，第2季DRAM的走势为探底、持稳后，准备反弹，单季ASP（平均单价）约在2.5~3美元间，下半年可望反弹到3~4美元。
       审慎乐观
       力晶首季营收289.05亿元，毛利率下滑到30.9%，税后纯益75.33亿元，EPS为1.1元，展望第2季，力晶出货将成长13%，不过4月19日的价格已碰触到了力晶的成本线，因此单月获利有压力，大部分DRAM厂都面临很大的压力，5月之后会有改善。
       谢再居表示，4月DRAM现货价格预计将是最底部，5月中512M DDR2颗粒可望回到2.5~2.8美元间，整个第2季价格会平稳在2.5~3美元间。
       70奈米量产技术领先
       对于DRAM产业状况，力晶副总谭仲民表示，由于NAND Flash（储存型快闪记忆体）需求上涨，所以DRAM厂不会再把NAND产能转往DRAM，且DRAM价格重挫也拉升PC记忆体装置量，预估第2季底价格就会缓慢回升，下半年ASP在3~3.5美元，甚至有机会回到4美元，全年ASP落在2.5~3.5美元间，所以今年价格跌幅会较大，约在50%。
       谢再居表示，面对价格压力，力晶将持续致力成本的降低，第2季512M DDR2 ETT（有效测试颗粒）的成本应可压到约1.8~1.9美元，而下半年到明年转进70奈米制程，同时主流从512M转到1G时，1G成本可望降到3美元附近，有助于提升获利。
       他表示，力晶目前70奈米良率已经提升到80%以上，单位成本已经比90奈米低，力晶在近期就会导入量产，到年底将是全球少数有量产能力的DRAM厂，具有显著成本竞争优势，对于力晶下半年到明年的营运仍持乐观看法。
       今年资本支出690亿
       谭仲民表示，今年力晶资本支出为690亿元，其中120亿元为投资瑞晶，目前力晶现金部位有430亿元，银行联贷额度360亿元，加上今年折旧312亿元，因此今年力晶并没有筹资计划。
       今年的产能扩充部分，第2季力晶12M厂将扩充到4万片，至于竹科园区三五路土地取得后，就会则机动土兴建，主要投资都在提升制程。
       至于在瑞晶部分，R1厂目前已经开始装机，6月就会试产，7月大量投片。