力晶:DRAM价格落底 5月下旬反弹 首季EPS 1.1元 下半年均价上看4美元
来源: 作者: 时间:2007-04-24 18:46
力晶(5346)公布第1季财报,税后纯益75.33亿元,每股纯益(EPS)1.1元,符合市场预期数字。对于DRAM(动态随机存取记忆体)后势,力晶总经理谢再居表示,第2季DRAM的走势为探底、持稳后,准备反弹,单季ASP(平均单价)约在2.5~3美元间,下半年可望反弹到3~4美元。
审慎乐观
力晶首季营收289.05亿元,毛利率下滑到30.9%,税后纯益75.33亿元,EPS为1.1元,展望第2季,力晶出货将成长13%,不过4月19日的价格已碰触到了力晶的成本线,因此单月获利有压力,大部分DRAM厂都面临很大的压力,5月之后会有改善。
谢再居表示,4月DRAM现货价格预计将是最底部,5月中512M DDR2颗粒可望回到2.5~2.8美元间,整个第2季价格会平稳在2.5~3美元间。
70奈米量产技术领先
对于DRAM产业状况,力晶副总谭仲民表示,由于NAND Flash(储存型快闪记忆体)需求上涨,所以DRAM厂不会再把NAND产能转往DRAM,且DRAM价格重挫也拉升PC记忆体装置量,预估第2季底价格就会缓慢回升,下半年ASP在3~3.5美元,甚至有机会回到4美元,全年ASP落在2.5~3.5美元间,所以今年价格跌幅会较大,约在50%。
谢再居表示,面对价格压力,力晶将持续致力成本的降低,第2季512M DDR2 ETT(有效测试颗粒)的成本应可压到约1.8~1.9美元,而下半年到明年转进70奈米制程,同时主流从512M转到1G时,1G成本可望降到3美元附近,有助于提升获利。
他表示,力晶目前70奈米良率已经提升到80%以上,单位成本已经比90奈米低,力晶在近期就会导入量产,到年底将是全球少数有量产能力的DRAM厂,具有显著成本竞争优势,对于力晶下半年到明年的营运仍持乐观看法。
今年资本支出690亿
谭仲民表示,今年力晶资本支出为690亿元,其中120亿元为投资瑞晶,目前力晶现金部位有430亿元,银行联贷额度360亿元,加上今年折旧312亿元,因此今年力晶并没有筹资计划。
今年的产能扩充部分,第2季力晶12M厂将扩充到4万片,至于竹科园区三五路土地取得后,就会则机动土兴建,主要投资都在提升制程。
至于在瑞晶部分,R1厂目前已经开始装机,6月就会试产,7月大量投片。