Q3NAND闪存市场 东芝份额逼近30%

Q3NAND闪存市场 东芝份额逼近30%

　　美国iSuppli发表了2006年第3季度（7～9月）NAND型闪存市场的销售额排名。在前三名中，第2位东芝公司的市场份额比上季度增加3.2个百分点，为27.8％，与榜首南韩三星电子之间的差距缩小了6.3个百分点。

　　第一名三星的份额下降了3.3个百分点

　　第3季度，东芝NAND型闪存的销售额为8亿4900万美元，比前期增加26.2％。按比特换算的产量比前期增加70％。与此相比，第一名三星的销售额仅比前期增加4.3％。结果导致三星份额下滑3.3个百分点，跌到了43.1％。

　　第3位南韩现代半导体(Hynix Semiconductor)的销售额比前期增加11.9％，份额与前期相同为18.5％。通过美国IM闪存科技（IM Flash Technologies，LLC）合作开展NAND型闪存业务的英特尔与美光科技（Micron Technology）的销售额与前期相比均有迅速增长，分别增加了127.8％和35.3％。

　　iSuppli介绍，目前1个单元存储2bit数据的MLC（multi level cell）所占的比例正在迅速增长。紧随MLC比例已占90％以上的东芝，截至第3季度，三星和Hynix也分别将MLC的比例提高到了40％和50％。这样，到2007年第1季度，全球市场的MLC比例将提升至80％。

　　第4季度市场预测近期下调

　　2006年第3季度NAND型闪存的市场规模为31亿美元，比第2季度的27亿美元增加11.8％。基本符合iSuppli初期时的预测。该季度的比特增长率比前期赠加44％，每特的价格下降22％。同期，DRAM的市场规模为91亿6500万美元，NAND型闪存的市场规模相当于DRAM的1/3。

　　由于预测到配备NAND型闪存的携带型音乐播放器销售额的增长速度将会放慢。iSuppli将于近期下调原先的2006年第4季度NAND型闪存市场预测。iSuppli认为，到2007年，同时生产DRAM和NAND型闪存的厂商会在增加没有降价的DRAM的生产比例，NAND型的降价速度将会因此得到减缓。