“透射电子显微镜”实现65nm设计节点材料分析

“透射电子显微镜”实现65nm设计节点材料分析

       FEI公司将于近期推出一套透射电子显微镜(TEM)，并表示这套TEM将能够进行原子标度成像和半导体晶片分析。
       FEI将在Semicon Japan 展会上展出这款Helios NanoLab 400S型透射电子显微镜。Helios NanoLab是一套双电子束TEM系列。NanoLab上的一个聚焦离子束可以切开晶片上极其微小的薄片，而不会损坏相邻的芯片。接着，扫描电子束会对这块薄片进行分析，从而获得半导体晶片上各层的横截面图像。
       FEI表示这款TEM的成像分辨率上比之前的模式提高了40％。同时，对于横截面成像，低电压扫描电子显微镜分辨率也有提高，从而能更容易地分析65以下级纳米设计节点的半导体材料。