台积电与NXP技术合作　布局Flash领域动作积极

台积电与NXP技术合作　布局Flash领域动作积极

       联手45奈米制程嵌入式非挥发技术研发　展现强烈企图心

       台积电（2330）16日宣布，将于欧洲比利时微电子技术研究所（IMEC）及新竹研发总部，同步与恩智浦（NXP）展开45奈米制程嵌入式非挥发性技术合作，外界猜测，台积电与NXP联手主要锁定快闪记忆体（Flash）先进制程研发，未来将大量应用于NXP主要消费及通讯产品内。晶圆厂指出，NXP总管制造业务的全球执行副总Ajit Manocha近日也将来台，预料也将拜会台积电。

       台积电、NXP 16日的合作声明皆说得相当含蓄，NXP总裁兼执行长万豪敦表示，透过建立台积制程平台上的合作，例如系统单晶片的45奈米制程嵌入式非挥发性技术，此项努力将使NXP更专注于创新且与目前市场制程选择相区隔；台积电指出，双方合作将在智慧财产权、设计、模型分析、材料、和制程技术的研发和基础设施上发挥极大化的效能。

       不过，外界似乎对台积电与NXP合作的45奈米制程嵌入式非挥发性技术兴趣更大，因为台积电长期以来与超捷半导体（SST）合作，2006年更宣布与Spansion合作生产NOR型Flash，不仅8寸厂投产快闪记忆体，12寸厂90、65奈米制程也已投入；这次与NXP合作研发45奈米制程非挥发性技术，代表台积电对于内嵌式记忆体企图心相当强烈。

       NXP目前在行动通讯、安全应用、免接触式付款以及车内娱乐等广泛电子设备提供半导体解决方案，是全球产业界中的领导者，近期更赢得多国安全晶片等标案，业者分析，台积电与NXP携手合作45奈米制程嵌入式非挥发性技术，将成为NXP未来嵌入式记忆体最大制造及供应商。

       据了解，台积电内部布局嵌入式记忆体已相当长时间，在快闪记忆体方面，已经量产的内嵌式快闪记忆体包括0.5、0.35、0.25及0.18微米制程，预估2007年将迈入0.13微米制程；同时台积电也锁定汽车用嵌入式记体市场，预估2008年跨以0.18微米量产；此外，在消费性的智慧晶片方面，主要则采用0.22微米制程生产。

       半导体人士指出，台积电这次与NXP的合作计画除在新竹，也在IMEC同步进行，目前IMEC是全球最重要的奈米制程研究中心之一，只有国际重量级业者才加入的会员组织。台积电于IMEC研发45奈米制程内嵌式记忆体，是相当具有发展潜力的布局动作。

       来源：中国IC交易网