朗明科技公司展示最新反向光刻技术(光学临近修正(OPC) 延长分步曝光)

朗明科技公司展示最新反向光刻技术(光学临近修正(OPC) 延长分步曝光)

    2月25号，在(美国)加利福尼亚州举行的SPIE光刻印刷技术会议上，朗明科技公司(Luminescent Technologies, Inc.)展示了该公司的最新反向光刻技术的成果，该项技术成果可以应用在45-32纳米芯片制造上。

    

    据朗明科技公司说，该公司的这项技术成果可以解决45纳米多晶硅和扩散层线长变短的问题(line-end shortening)。如今，生产商们正在探讨45纳米工艺延长分步曝光的可能性，以便推迟浸湿式光刻。

    

    由于存在线长变短的问题(line-end shortening)，目前所采用的光学临近修正(OPC)在光刻临界层时一直是十分困难的，多晶硅层由于线端距离短，使得光刻更加困难，没有光学临近修正的余地。而朗明科技公司的反向光刻技术在加工45纳米多晶硅和扩散层时却游刃有余，反向光刻技术使得焦深也致少改进了100纳米，这比传统的光刻技术多出30%以上。这种改进对掩模加工有着重要的含义。传统的光学临近修正最大的焦深仅在300纳米以下，使得加工余地非常狭小。

    

    朗明科技公司声称，反向光刻技术改进了焦深，扩展了加工余地使得厂商们得心应手。