DRAM现货狂飙 恐小幅拉回

DRAM现货狂飙 恐小幅拉回

     （华强电子世界网讯）集邦科技十二日指出，DDR2现货价格持续大涨，DDR2有效测试（eTT）现货价格也强力上涨，并超越品牌颗粒价格，但这突显出目前市场投机气氛浓厚，预计短期内现货价随时都有拉回修正疑虑，不过幅度不会太大；至于NAND闪存方面，在传统旺季需求带动下，现货价依旧呈现上升走势，并以八Gb和十六Gb最明显。
    
     集邦指出，在DRAM合约价部分，部分DRAM厂在今年六月与OEM计算机大厂签订供货长约，所以即使九月上旬DRAM现货价狂飙，合约价上涨幅度仍有限，所以就算九月及十月为PC出旺季，合约价涨幅仍受制；九月上旬五一二MB DDR2模块普遍成交价介于四十三美元到四十五美元间，换算成颗粒价格约在五至五．二五美元间。
    
     至于目前五一二Mb DDR2的现货价格，已经上涨到六．七三美元，与合约价间已有二八％溢价差，但集邦科技观察，DRAM现货价与合约价间的历史价差通常会在正负四％之内，以现在DDR2现货价接近七美元价格，但短期内合约价涨幅难跟上现货价格等情况来看，预期未来现货价上涨空间同样有限。
    
     在NAND市场部份，今年以来价格已连续八个月遭大幅度修正，但第四季是传统圣诞节旺季，整个下游市场需求已浮现，加上NAND芯片供货商开始调整出货，集邦科技则认为，NAND在经历八月底到九月初的一波涨势后，九月和十月NAND现货市场的价格应该还会呈现往上涨的趋势，尤其以需求强劲、但供给吃紧的高容量八Gb和十六Gb NAND芯片涨幅会最明显 。