市讯周报

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     （华强电子世界网讯）DRAM现货市场投机气氛浓厚；传统旺季需求带动NAND Flash现货价格的走势往上
    
     现货市场投机气氛浓厚，短线涨幅过大报价有回修正疑虑
    
     DDR2现货价格持续大涨，DXI指数由4022大涨至4221。然而DDR2 eTT现货价格大涨并且超越品牌颗粒价格，显示目前市场投机气氛浓厚，因此现货市场短期价格随时都有拉回修正的疑虑。然而在9月以及10月PC出货旺季支撑下，DRAM合约价格仍将缓步上涨。
    
     现货市场方面，由于上周力晶未开盘使得DDR2 eTT颗粒现货市场供给量较少，因此在通路商炒作下，DDR2 eTT颗粒单周大涨16.8%，价格来到6.96美元的天价，甚至超越品牌颗粒的价格。而在DDR2 eTT带头领涨下，DDR2 512Mb(64Mb×8) 667MHz 价格也上涨至6.73美元价位。此外，各家DRAM厂90nm产出比重持续提升也使得DDR2 512Mb(64Mb×8)533MHz颗粒产出比重下降，在市场仍偏好低价颗粒下，DDR2 512Mb 533MHz价格也上涨至6.5美元。至于DDR颗粒也因DDR2带动而小幅上涨。
    
     仅管9月上旬DRAM现货价格狂飙，但是DDR2合约价上涨幅度有限，9月上旬DDR2 512MB 533MHz与667MHz普遍成交在43至45美元。换算成颗粒价格仅5.06至5.25美元左右，与现货价格差距颇大(Figure-2)。主要原因在于今年5、6月，部分DRAM厂与PC OEM签订供货长约，因此合约价格向上调整幅度将会受限，预期未来几次DRAM 合约价格走势呈现缓步上涨格局。
    
     然而目前DDR2 512Mb(64M×8)667MHz现货价格6.73美元与合约价格5.25美元做比较，价差幅度高达28%。以历史数据观察(Figure-3)，DRAM现货价格与合约价格价差通常会在正负8%之内，当价差超越10%以上幅度时，机率仅剩20%左右。而且DDR2现货价格已接近7美元，上涨空间实属有限，尽管下一期合约价格仍有机会上涨，但是合约价涨幅也难以跟上现货价格，因此未来以现货价格回文件来修正与合约价格的价差机会较大。
    
     至于在SDRAM部份，上周价格也大多持平，SDRAM周一收盘价SDRAM 4M×16为0.85美元，8M×16为1.79美元，16M×16为2.89美元都维持平盘。在消费性电子进入第三季生产旺季之后，厂商开始替圣诞节的消费性电子产品市场需求开始备货，但因DRAM厂产能持续开出，使得供货数量也呈现增加的状态，故整体DRAM产出于消费性电子市场的供货状态堪称平稳。目前在市场上SDRAM 4M×16供货数量增加较多，因此部份消费性电子厂商改用SDRAM 4M×16来替代8M×16以节省成本。
    

    
    
    
     传统旺季需求带动NAND Flash现货价格的走势往上，8Gb和16Gb尤为明显
    NAND Flash现货价格从今年一月开始，连续八个月出现往下修正的趋势。在经历八月底和九月初的一波涨势后，各方皆在观看接下来整个市场价格是否会持续向上走。DRAMeXchange在上周二的周报中提到，NAND Flash主要供货商在九月上旬所开出的新官价，是否能为下游厂商接受，将会影响未来数周现货价的走势。从上周供货商开出新官价后整个现货市场的表现来看，显然部分的下游厂商愿意配合供货商所开出的新官价。
    
     将上周二和本周一NAND Flash现货市场的最后收盘价做一比较，可以发现所有价格均不再往下修正。其中，1Gb从2.78涨至2.82美元，涨幅为1.4%；2Gb从4.85涨至5.08美元，涨幅为4.7%；4Gb从7.6涨至7.81美元，涨幅为2.8%；8Gb从13.42涨至14.76美元；涨幅为10%；16Gb从26.04涨至28.28美元，涨幅为8.6%。上述各种容量的NAND Flash现货价均呈现往上攀升的状况，特别在高容量部分的现货价格涨势最为明显，这个迹象也反映了目前终端市场的大量需求已经浮现。
    
     根据DRAMeXchange的观察，今年九月和十月终端产品应用市场对NAND Flash的需求，相较于今年第二季、七月和八月时的需求的确有倍增的现象，主要原因在于下游客户目前已经开始在为第四季的耶诞旺季备料生产终端产品。此外，NAND Flash供货商也开始调整SLC和MLC的价格和产出比重，因而带动整个下游市场的需求。因此，DRAMeXchange认为原则上九月和十月NAND Flash现货市场的价格应该会呈现往上涨的趋势。
    
    
    
    

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