DRAM厂 筹资大作战

     （华强电子世界网讯）为筹措明年产能扩充资金，DRAM内存厂商已展开筹资大作战，茂德明（31）日将与银行团签订200亿元的联贷，作为中科四厂建厂资金；南科继日前发行二笔60亿、50亿元的公司债后，11月将再发行80亿至100亿元的可转债；力晶为筹措中科新厂建厂资金，也将发行120亿元的GDR（海外存托凭证）。
    
     茂德今年资本支出约9.5亿美元，较去年8.6亿美元增加10.45%，茂德今年已发行3亿美元GDR ，日前更将8吋厂设备出售予新加坡麦格理，增加72亿元的现金流入，明天再取得银行团200亿元的联贷。明年还将发行ECB（海外可转换公司债），发行额度为100亿元。
    
     茂德说，中科三厂预计年底时，月产出达3.7万片，明年初再拉到4 万片，明年中后，三厂制程将100%转为70奈米，产出将可达5万片、甚至可拉到6万片。至于兴建中的中科四厂，预计明年第三季完成无尘室兴建，明年第四季开始试产，明年底时月产能规划达1万片。
    
     南科为筹措明年第一座12吋厂的建厂资金，已发行二笔公司债，额度分别为60亿元及50亿元，计划11月再发行额度100亿元的可转债，第四季筹资可达210亿以上。南科指出，可转债额度约80亿到100亿元，预定溢价20%到30%。南科预估，透过发行公司债与可转债后，加计折旧及营运现金流入，年底可掌握的现金近600亿元。
    
     力晶为筹措明年建厂资金，董事会日前通过发行GDR，额度在4.8亿股至6亿股，若折价幅度采7%水平计算，最多可募约120亿元。
    
    
    

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