芯片漏电与过热问题大 IBM呼吁合作纳米科技

芯片漏电与过热问题大 IBM呼吁合作纳米科技

     (华强电子世界网讯) 9月16日消息 IBM微电子资深副总John Kelly日前在由Albany NanoTech所共同举办的半导体论坛会议Albany Symposium中指出，随着半导体制程技术越来越先进、晶体管持续缩小情形下，芯片漏电与过热问题成为厂商最头痛的问题之一，Kelly呼吁业界与政府、学界通力合作纳米科技研究，期望在2020年前半导体产业全面进入纳米时代。
    
    　　Kelly指出，当前半导体芯片是以硅晶圆为材料，以互补性氧化金属半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductors；CMOS)制程科技生产IC芯片，然而随着晶体管持续缩小，想要在单一芯片上容纳上亿颗以上的晶体管，虽然暂时可以用IC设计的技巧达到目标，但其基本的物理限制则已近在眼前。
    
    　　他呼吁业界必须以协力方式，期望在15年内得以使用纳米电子(nanoelectronics)科技生产更小的应用装置，若业界与政府、学界仍未重视这项议题，其教训将是电脑运算能力的增长及消费性电子市场增长力道将倒退。
    
    　　Kelly提出警告表示，半导体厂商目前需要在生产制程中，快速地检测出不良产品，以IBM微电子在美国纽约州East Fishkill的晶圆厂为例，该厂每天必须从生产设备产生超过1.6万个图表，以便达到随时监控良品率的开出情形，然而以CMOS制程科技所带来在生产制造方面的复杂性，其成本上扬趋势已不容忽视。