飞兆半导体的60V Trench MOSFET具有最低RDS(on) 和超低栅极电荷

飞兆半导体的60V Trench MOSFET具有最低RDS(on) 和超低栅极电荷

    

（华强电子世界网讯） 飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)推出三种新型60V N沟道MOSFET，专为大电流汽车设备而设计，如发动机/机体负载控制、ABS、动力系管理和喷射系统。
    
     FDB035AN06A0、FDP038AN06A0和 FDD10AN06是飞兆半导体针对汽车应用而推出新型中压(60V至150V) PowerTrench® 系列产品的首批60V器件。该系列MOSFET器件成功达致国际公认的AECQ101标准的要求，采用PowerTrench技术实现相同封装类型中业界最低的RDS(on)。
    
     这些中压器件的栅极电荷非常低，特别适合大功率应用。在许多新型汽车设备中若干器件必须并联，以实现极低的总体导通阻抗。而由于PowerTrench MOSFET的栅极电荷低，因此所需的驱动电流以至驱动电路的尺寸也同时降低。例如，FDB035AN06A0的总栅极电荷为124 nC，及超低的RDS(on) (室温下TO-263封装的最大值为3.5毫欧)。对于电感性负载开关的应用，该器件具有625mJ @ 70A的单个或重复脉冲的UIS(Unclamped Inductive Surge)能力。
    
     新推出的中压器件现已提供现货，批量订购1000个时FDB035AN06A0和FDP038AN06A0的价格为每个3.80美元，FDD10AN06A0的价格为每个1.32美元。