IR推出FlipFET封装两向双MOSFET

IR推出FlipFET封装两向双MOSFET

     (华强电子世界网讯) 功率半导体专家国际整流器公司 (IR)，推出IRF6156型20V双重两向HEXFET功率MOSFET。该器件采用共漏极结构，体积比采用TSSOP-8封装的器件小80%，厚度低于0.8毫米。
    
     IRF6156采用IR的专利FlipFET封装，由于体积小巧，特别适用于锂离子电池内的安全及保护电路，应用范围包括蜂窝电话、笔记本电脑、PDA及数码相机。
    
     锂离子电池属易燃品，需利用保护电路避免因过度充电而造成损害。保护电路还用于探测短路情况，同时将电池与负载断开。
    
     IR的专利FlipFET封装不含引线框或管帽，实际上晶片本身就是封装。这种设计将结至印刷电路板的热阻减低至35C/W，而SO-8封装器件的热阻却高于60C/W。此外，新设计的结至环境最大热阻为50C/W。IRF6156各个接线端均设在晶片同一侧，能将杂散电感及其它器件封装损耗减至最低，甚至完全消除。
    
     IR中国及香港销售总监严国富先生表示：“IR的FlipFET MOSFET能适应体积日益小巧的手提式应用设备，而无损载电能力。制造商还可利用标准表面贴装设备和技术把新器件装在印刷电路板上，使用更加方便。”
    
     全新FlipFET封装IRF6156 MOSFET现已投入供应，其基本规格如下：