飞兆推出业界首个结合SyncFET和FLMP技术的30V N沟道MOSFET

飞兆推出业界首个结合SyncFET和FLMP技术的30V N沟道MOSFET

     (华强电子世界网讯) 飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 推出全新MOSFET系列产品的首名成员FDS7066SN3器件，其采用飞兆半导体的FLMP (倒装引脚铸模封装) 和SyncFET硅技术，显著改善同步DC/DC降压转换器的性能和降低总系统设计成本。该器件集成了肖特基二极管，其SyncFET技术可在单一封装中提供媲美分开的MOSFET及肖特基整流器的性能，即大功率和大电流的处理能力。这可使占用空间减少达50%，同时降低成本，缩短生产时间。
    
    

FDS7066SN3器件采用飞兆半导体的高效FLMP SO-8封装，再结合SyncFET技术，使到性能得以进一步提高。该器件的热效高 (结点至外壳的热阻为每瓦摄氏0.5度)、RDS(on)低 (10Vgs时为4.5mOhms)。因此，这种30V、19A N沟道MOSFET是用于同步降压DC/DC转换器应用低边开关的理想方案。
    
     SyncFET单片裸片采用飞兆半导体的专利技术，集成钛肖特基二极管和PowerTrench^® MOSFET，可达到MOSFET所要求的肖特基二极管的性能，防止MOSFET体二极管导通。这显著改善了反向恢复门电荷 (QRR) 和反向恢复时间 (trr) 特性——FDS7066SN3的QRR仅为28 nC，trr为26.6 ns (两者都是IF = 19 A，di/dt = 300 A/µs)。反向恢复电荷减少也有助于提高DC/DC转换器的整体效率。此外，采用导通电阻相同的SyncFET代替较低的MOSFET可使效率提高5%。
    
     飞兆半导体的FLMP封装可在标准SO-8封装外型中提供体积较大的TO-263所具备的热性能及低RDS(on)特性，这种封装可使FDS7066SN3的结点至外壳热阻达到每瓦摄氏0.5度，比较标准SO-8封装每瓦摄氏250度。该封装能同时能改善功率消耗：标准SO-8的消耗为2.5W，而FLMP为3W。FLMP封装结合SyncFET技术，可降低器件的运作热量，从而提高系统的可靠性、减少电路板的占用空间近一半、大大地简化布线布局以及降低元件数量。
    
     FDS7066SN3是飞兆半导体全线SyncFET产品系列中的一员，该系列提供多种符合工业标准和可定制引脚输出的单和双解决方案。该产品与飞兆半导体针对DC/DC转换应用的其它电源方案相辅相成，包括PWM控制器、光耦器及桥整流器。
    
     FDS7066SN3每片为2.14美元 (订购1,000片计),现货供货,收到订单后8周交货。