IR推出汽车使用的低开态电阻MOSFET
来源:华强电子世界网 作者: 时间:2002-11-07 17:40
(华强电子世界网讯) 国际整流器公司(IR)使用的汽车专用trench-HEXFET技术与同类技术相比可以使开态电阻降低15%。这种40V功率MOSFET的雪崩性能可与平面技术相比,是目前沟道产品的两倍。
该器件的型号为IRF2804,适用于高功能汽车产品,如14V集成起动器-发电机、14V同步整流发电机和电动转向、无刷及有刷直流电机控制。该公司还将这种trench-MOSFET技术扩展到40、55、75和100V等其它电压的汽车产品。
IRF2804的开态电阻为2.3毫欧,采用业界最小的TO-220封装,其每单位区域的门电荷低,适合工作频率高达100kHz的高频场合。
这种车用MOSFET的开态温度系数比同类器件低10%,适用于标称工作温度大于125℃的场合,最高结点温度接近175℃。
批量达10,000片时,IRF2804售价为3.67美元(仅供参考)。






