减少占用空间60% 飞兆低压MOSFET采用SC75 FLMP封装

减少占用空间60% 飞兆低压MOSFET采用SC75 FLMP封装

     (华强电子世界网讯) 飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 推出新型P沟道MOSFET器件FDJ129P，为便携设备电源管理带来综合的性能和节省空间优势，这些设备包括移动电话、PDA、便携音乐播放机、GPS接收装置、低压/低功率DC-DC转换器及数码相机等。FDJ129P在紧凑的SC75 FLMP（倒装引脚铸模封装）中结合了飞兆半导体的高性能 PowerTrench® 技术，结果可以带来比SSOT-6 或TSOP-6封装所提供同类MOSFET器件减少60%的电路板空间。FDJ129P的功耗为1.8W，最大稳态电流为4.2A – 这数值比采用SC75封装技术的同类型产品高出12倍。
    
    

FDJ129P提供的性能与FDC640P等典型TSOP-6基础产品相似，但占用的电路板空间却较TSOP-6封装减少了60%，侧高则降低了34%。飞兆半导体便携产品应用市场发展经理Chris Winkler称：“现在，客户可选用新器件来减少其电路板尺寸，或利用SC75 FLMP的功能将其电路升级至更高的电流能力。”
    
     此外，FDJ129P提供低开关损耗，因此能减少系统的功率耗散，并具备高达4.2A的最大稳态电流和16A的最大脉冲电流。
    
     飞兆半导体是首家厂商提供FLMP封装的P沟道MOSFET，该专利的封装技术可省去传统的引线粘接，带来极低的电阻。FLMP封装同时在印刷电路板和MOSFET晶片之间 (泄漏连接) 提供低热阻路径。低电阻和低热阻的结合可大大提高电源管理设备的性能。
    
     FDJ129P的低封装高度 (最大仅为0.8 mm) 能让该产品用于RF屏蔽和内部组件及显示器件之下。该新器件还具有极低的RDS(on)（70mΩ @ VGS = -4.5V 和120mΩ @ VGS = -2.5V）和低栅极电荷（VGS +/- 12V时Qg£6nC）。
    
     价格为每个 0.33美元 (订购1,000 个)，现货供货，交货期为收到订单后8周内。