NAND价格战牵动DRAM产能供给

NAND价格战牵动DRAM产能供给

     (华强电子世界网独家报道) 第一季由于供货商产出速度远远跟不上市场所需数量，全球NAND型Flash报价连番调涨，由此也出现了1Gb的NAND Flash报价一度拉高至30美元以上，但随后因市场人为因素操控，1Gb NAND Flash报价一度下跌至仅剩15-16美元左右。记者近日从华强电子世界现货市场了解到，近期NAND Flash价格连连下挫，价格战很可能牵动DRAM的产能供给。
    
     据深圳岭南科技有限公司林小姐表示，造成这波NAND型Flash报价下跌原因，主要是一些贸易商及通路商期待在CeBIT展大赚一笔，因而大量买进NAND Flash囤积，但近期市场需求并未如预期那样强劲，又不得不导致贸易商大举抛出手中货源。
    
    

    
     经历短短不到2周时间，NAND报价又再度止跌回升。因此，业内人士认为，这样状况足以说明，至少在2004年底前，NAND型Flash应不会出现供需失衡情况。
    
     而NAND Flash应用的再度崛起，首当其冲会使DRAM产能受到排挤。
    
     近期NAND Flash价格持续下跌，1G的NAND Flash价格跌破20美元，现货价格在18美元左右。对比NAND Flash价格及需求的连连转弱和DRAM市场的如日中天，业内人士猜测，可能会导致三星将产能转回生产DRAM，从而影响到DRAM的供给面。
    
     记者从有关方面了解到，1G的NAND Flash晶粒大小和512M的DDR晶粒大小相当，目前价格约18美元，其成本只有不到10美元，而512M的DDR价格约13美元，其成本约6～8美元，两者都是等于是卖1颗赚1颗，所以NAND Flash高毛利优势已逐渐缩小，在三星调降NAND Flash价格，其获利水平和DRAM相比已无太大优势。经销商因此认为，若未来NAND Flash市场需求疲软，上游供应商为追求最高利润，在产能配置上，将不一定以NAND Flash为主，很可能会转向DRAM市场。“届时，DRAM的供应将会有所缓解，价格也会有调降。”经销商猜测。
    
     业内人士分析，对于后进入NAND FLASH市场的DRAM颗粒制造商来说，目前最大希望就是能多卖点NAND型Flash，原因在于当前销售NAND Flash的利润与同样容量标准型DRAM颗粒较高，再加上未来几年内NAND型Flash应用市场范围也同样远高于DRAM颗粒，因而吸引愈来愈多DRAM颗粒厂加入此战局。
    
     但如今NAND Flash价格持续走跌，投资商们也不得不放慢速度，谨慎对待，预计下半年NAND Flash将大量排挤DRAM产能的情况可能会有所改变，DRAM产能应有所缓解。
    
    
    
    
    

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