英特尔成功采用65nm工艺制造70Mbit SRAM

英特尔成功采用65nm工艺制造70Mbit SRAM

    　　（华强电子世界网讯）　英特尔利用65nm制造工艺开发出实际运行的70Mbit SRAM芯片。这是英特尔公司于当地时间8月30日透露的。该芯片集成了超过5亿只晶体管。该公司计划从2005年开始在批量生产中应用65nm制造工艺技术。
    
    　　该制造工艺使用的晶体管基极长35nm，比采用90nm制造工艺时小约30％。“利用65nm工艺可在一个芯片中集成多个晶体管，这将成为未来提供的多内核处理器的基础。此外还可在产品中增加虚拟化及安全性等新功能。”（该公司）
    
    　　该芯片采用张力硅（strained silicon）技术减小耗电量。利用该技术在不增加漏电流的情况下，使晶体管的处理性能提高了10～15％。反之当提供与90nm工艺晶体管同等性能时，漏电流减小到4分之1。
    
    　　由于基极长仅35nm且基极氧化膜厚度仅1.2nm，因此在提高处理性能的同时减小了基极的静电容。减小基极静电容又降低了芯片工作时的耗电量。另一方面，由于利用铜布线实现8层内部连接和采用低介电系数（low-k）绝缘体，不仅提高了芯片内的信号速度而且降低了耗电量。
    
    　　该公司还在该芯片中采用了“sleep transistor”。该技术在不工作时中断向SRAM大范围供应电流，可大幅减少芯片的总耗电量。
    
    　　该芯片在该公司设在俄勒冈州山丘市（Hillsborough）的300mm晶元开发工厂（D1D）制造。