赛普拉斯非易失性SRAM赢得2007年中国年度创新电子奖（ACE）存储类产品大奖

赛普拉斯非易失性SRAM赢得2007年中国年度创新电子奖（ACE）存储类产品大奖

    

    
     2007年4月5日，北京讯－赛普拉斯半导体公司（纽约证券交易所代码：CY）今天宣布，其非易失性SRAM（nvSRAM）已获得环球资源（Global Source）《电子工程专辑（EE Time）》中国年度创新电子奖（ACE）存储类产品年度大奖。年度产品奖对处于领先地位且成就突出的产品设计予以表彰，只有对中国大陆电子产品市场具有显著影响或潜在影响的产品或技术才能获得此奖项。获奖者由业内专家组选出，并在颁奖典礼上公布，颁奖典礼与第12届中国国际集成电路研讨会暨展览会（IIC-China 2007）同期举行。
    
     赛普拉斯nvSRAM能够在断电情况下实现数据的内部存储，且不需安装电池。由于无需使用外部电池，赛普拉斯公司能够以较同类产品尺寸更小的封装规格为用户提供符合RoHS标准的高速器件。对于所有需要持续高速数据写入操作与绝对非易失性数据安全功能的应用，对于需要持续高速写入数据，且要求绝对的数据非易失性的应用，例如RAID（独立磁盘冗余阵列）应用、复印机、POS终端、手持仪表以及各类消费电子等产品，nvSRAM是理想选择。此类非易失性SRAM是根据赛普拉斯公司此前宣布的与西姆泰克公司（Simtek Corporation）签订的协议而开发出的器件家族中的首批产品。西姆泰克公司是nvSRAM的发明者和该领域的先锋。
    
     赛普拉斯公司非易失性存储器业务部副总裁Tom Surrette表示：“中国是赛普拉斯nvSRAM产品的重要市场。我们的技术能够得到《电子工程专辑》的认可，我们感到非常高兴。客户已经充分认识到，与需要电池支持的解决方案相比，nvSRAM具有高速写入、符合RoHS标准、更容易进行电路板布局并集成于制造流程之中等优势。”
    
     关于赛普拉斯nvSRAM
    
     赛普拉斯的nvSRAM使用存储于外部电容器（而非电池）内的电量，使产品更适用于标准印刷电路板（PCB）组装流程。该产品的数据保存时间最少可达20年。非易失性SRAM的存取时间仅有25纳秒，共有1 Mbit/3V、256 Kbit/3V、256 Kbit/5V、64 Kbit/5V和16 Kbit/5V 等五种配置。该产品具有高度可升级性，采用32引脚SOIC封装，1-Mbit和256-Kbit器件还有48引脚 SSOP封装方式可供选择。　
    
     在RAID应用中，当电源失效时，nvSRAM能够在确保数据完整性的情况下进行高速数据传输。用于复印机中的nvSRAM产品能够实现数据的高速存取而不需要电池。得益于非易失性存储器提供的数据缓冲功能，手持仪表能够实现服务器上载数据的高速读取。