IDT推出最新先进存储器缓冲器样品

IDT推出最新先进存储器缓冲器样品

     （华强电子世界网讯） IDT™公司（Integrated Device Technology, Inc.）近日宣布推出d sampling of its 最新先进存储器缓冲器(AMB) 样品，服务于多种全缓冲双插线存储器模块（FB-DIMM）的生产商。这个新产品完全兼容JEDEC的AMB标准，是下一代高带宽应用产品的必备技术，比如服务器和工作站，这些设备都要求更高的性能和大型的存储容量。
    
    　　FB-DIMM信道架构的一个关键功能就是在信道中的存储控制器和模块之间实现高速度、串行、点对点的连接。每个FB-DIMM上的AMB芯片负责收集和分配来自DIMM 的数据，在芯片上进行内部数据缓冲，并将数据转发至下一个DIMM或者存储控制器。这种独特的信道结构减少了在带寄存器的DIMM技术中很常见的缓冲时延问题，能够使设计人员在单一的系统中应用大量的DIMM。
    
    　　IDT AMB 产品现在可以提供样品，2005年上半年可以批量生产。