飞兆高电压 SuperFET™ MOSFET 产品获最佳功率元器件奖

飞兆高电压 SuperFET™ MOSFET 产品获最佳功率元器件奖

     (华强电子世界网讯) 飞兆半导体器件获《电子设计应用》嘉许，能显著减低 SMPS 和 PFC 应用的系统功耗，并同时提升效率和可靠性。
    
     《电子设计应用》杂志是中国领先的电子设计出版刊物之一，该杂志日前举行了2004年度电源产品奖颁奖典礼，向飞兆半导体颁发了“最佳功率元器件大奖”。这个颁奖典礼于2005年5月25日在北京举行，并与第二届模块电源与电源管理技术专题研讨会同场进行。
    
     所有参选产品都根据多项关键标准进行了严格的评审，包括市场地位和竞争力、测试和应用评估报告等。飞兆半导体的产品结果在其它领先供应商的多种同类产品中脱颖而出，获得殊荣。
    
     飞兆半导体获奖的两项高电压MOSFET产品采用新型的SuperFET™技术，能大幅降低系统功率损耗，并且增加开关电源 (SMPS) 和功率因子校正 (PFC) 应用的效率和可靠性。飞兆半导体的专利SuperFET技术利用多重外延层来构成补偿区域，以改善导通阻抗性能。FCP11N60和FCPF11N60 SuperFET MOSFET具有低FOM值 (FOM = RDS(on) x Qgd)，与拥有相同RDS(on)水平的产品相比，FCP11N60器件具有更佳的FOM。
    
     FCP11N60和FCPF11N60都提供业界最佳的di/dt (最大值为1430 A/us)，这是由于它们具有宽体二极管，确保拥有更强大的坚固性、超低RDS(on) (典型值为0.32 ohm)，以及低输出电容 (典型值为Coss=35pF)。
    
     与TO-3P封装的标准平面结构MOSFET提供的导通阻抗相同，飞兆半导体全新TO-220和 TO-220F 封装的 MOSFET能提供更高的功率密度。FCP11N60和FCPF11N60提供优化的栅极电荷水平 (典型值为Qg=40nC)，用于降低栅极驱动功率和开关功率损耗。
    
     FCP11N60和FCPF11N60分别备有TO-220 和TO-220F封装，这些无铅产品能达到甚至超越IPC/JEDEC的J-STD-020B标准要求，并符合现已生效的欧盟标准。
    
     SuperFET MOSFET的推出并与飞兆半导体用于SMPS和DC/DC转换应用的解决方案相辅相成，其中包括PFC/PWM控制器、桥式整流器和光耦合器。