东芝向中芯国际转让0.15微米低功率SRAM工艺技术

东芝向中芯国际转让0.15微米低功率SRAM工艺技术

     (华强电子世界网讯) 日本东芝(Toshiba)公司与中芯国际集成电路制造公司(SMIC)日前共同宣布，双方达成一项技术授权和代工协议。根据该协议，东芝将0.15微米低功率的静态存储器(SRAM)工艺技术转让给中芯国际，增强双方的策略联盟关系。东芝可从中芯国际获得产能的支持，而中芯国际能够采用该先进的SRAM工艺技术为其客户提供服务。
    
     自2001年12月签订0.21微米工艺技术转让协议以来，东芝和中芯国际就已经确认了合作伙伴关系。此次在原有合作基础上签订的新协议，既使得中芯国际获得了新一代低功率SRAM的代工能力，又帮助东芝通过外包确保了其对SRAM产能的需求。SRAM主要应用于手机，而手机的需求量稳步上升，尤其在中国。预计从2000年到2005年中国手机市场的年增长率将为25.8%。
    
     东芝意识到中国市场长期的重要性和蕴藏的巨大潜能，正加快脚步提升在中国的业务量。
    
     中芯国际成立于2000年4月，主要产品有SRAM、DRAM、逻辑LSI, 模拟IC和LCD驱动器IC等产品。2002年年底，该公司的月产能已达到30,000片。