Intel推出StrataFLASH®记忆体

Intel推出StrataFLASH®记忆体

     (华强电子世界网讯) 凭着Intel的0.25和0.18微米之每储格两位技术，StrataFLASH®记忆体 (J3) 能在相同的空间内将可存储的位数提升两倍。目前，这StrataFLASH®记忆体 (J3) 具备有256MB、128MB、64MB和32MB几种选择，为快闪市场带来可靠的每格两位新技术。除了能在更小的空间造出更高的密度外，器件还有高速介面、最低每位成本的NOR器件，以及可支援代码和数据储存，并且可轻易过渡至未来的器件。
    
    　　采用与先前每格一位产品相同的NOR基础ETOX技术，这J3器件揉合了自1987年出产以来所有快速制造技术的优点，令到这J3元件适合使用在一些讲求言密度和低成本的代码和数据存储应用上。当中包括网络、电讯、数码机顶盒、音频记录、数码影像和其他消费电器方面。
    　
    　　性能表现
    
    　　• 110/115/150微秒的初始存取速度
    　　• 125毫微秒初始存取速度(只在256MB型号提供)
    　　• 25毫微秒异步分页模式读取
    　　• 30毫微秒异步分页模式读取 (只在256MB型号提供)
    　　• 32位元组写入缓冲
    　　• 每位元组6.8微秒的有效编程时间
    
    　　软件
    
    　　• 支援程式及拭除暂停
    　　• 快闪数据整合器 (FDI)，共用
    　　• 快闪介面 (CFI) 兼容
    
    　　保安性
    
    　　• 128位防护暂存器
    　　　- 64位独一器件识别器
    　　　- 64位用户可编程 OTP 储格
    　　• 配备VPEN=GND的绝对防护
    　　• 个别区块锁定
    　　• 在电源蠹换时的区块拭除/程式闭锁
    　
    　　体系结构
    
    　　• 多层储格技术：低成本下的高密度
    　　• 高密度对称128KB区块
    　　- 256MB (256区块) (只0.18微米提供)
    　　- 128MB (128区块)
    　　- 64MB (64区块)
    　　- 32MB (32区块)
    
    　　品质及可靠度
    
    　　• 操作温度由负40度至正85度摄氏
    　　• 每区块可进行最少10万次拭除周期
    　　• 0.18微米ETOX VII制程(J3C)
    　　• 0.25微米ETOX VI制程(J3A)
    
    　　封装及电压
    
    　　• 56引线TSOP封装
    　　• 64-球 Intel简便BGA封装
    　　• 48-球 Intel VF BGA封装( 32及64MB) (只有x16型号)
    　　• VCC = 2.7伏至3.6伏
    　　• VCCQ = 2.7伏至3.6伏