摩托罗拉、飞利浦与意法半导体联盟推出首个90毫微米 CMOS 设计平台

     2002年8月28日，摩托罗拉、飞利浦、意法半导体三方联盟宣布：用于系统级芯片解决方案的90毫微米单元库和设计平台提前面市 。这是该联盟自今年四月成立以来推出的第一个合作产品。新型90毫微米 CMOS 设计平台，使得设计人员能够针对低功率、无线、网络、消费类及高速应用系统，展开新一代系统级芯片(SoC)产品的开发。
    
     由上述三家公司联合开发的新型90毫微米CMOS设计平台，充分利用了90毫微米工艺技术的多重特性和模块化性能。此项技术的发明使设计工作者在设计时可选择多个基于阈值的库元素，并可用于相同的设计模块，从而为平台用户提供了极大的灵活性来优化性能和减少功率耗散；同时这一功能也确保更加快速地开发用于高性能及功率要求苛刻型产品的芯片的需要。目前，一个具有短周期的往复式多项目模板服务已经面市，可大量降低小批量芯片的NRE费用，实现低成本原型制作。除了初期提供的上述产品外，后续产品包括SOI (Silicon-on-Insulator) 型和高性能集成无源设备等将很快面市。
    
     90毫微米设计平台获得业界流行的CAD工具的全面支持，这些CAD工具来自 Cadence、Mentor Graphics及Synopsys，通过与它们的研究开发小组合作开发出设计解决方案。
    
    技术细节：
    
    全套库平台包括：
    
     * 两个标准的单元库，一个针对性能进行优化，另一个针对密度进行优化，提供1000个以上可选单元，密度超过每平方毫米400K门。 支持1.0V或1.2V核心电压，金属间距0.28μm，6-9金属电路层。每个库都支持多个Vt选择；
    
     * 备有1.8V、2.5V及3.3V I/O 全套单元；
    
     * 高密度嵌入存储器，包括6T-SRAM（密度达每兆位1.6至1.2平方毫米），双端口，寄存器文件和ROM编译程序；
    
     * 一种完全兼容的低成本工艺，允许高达32MB的嵌入DRAM，密度为每兆位 0.5平方毫米。