欧姆龙发布最新发光二极管技术细节

欧姆龙发布最新发光二极管技术细节

    　　日经BP社报道，欧姆龙日前公布了发光二极管（LED）“DR-LED”的技术细节。该产品已于2002年12月15日上市，与其他产品相比其光利用率提高了一倍。与2000年7月发表的上一代产品相同，在封装内构筑了“全反射面（注1）”和“反射镜”。
    

    
    　　自封装内LED芯片发出的、朝封装侧面方向照射的光线可以通过全反射面的反射被传输到LED的前面。以前由LED芯片发出的光只有30%左右被传输到LED的前面。而利用这种方法后，有65%～70%的光线照射到了LED的前面。因此，实现相同亮度的耗电量可降到以前的一半。与白炽灯相比，耗电量可降到1/10以下。
    
    　　该产品的工作原理是：DR-LED将全反射面设置在封装的外侧，而在全反射面的下部则设置了凹面反射镜。LED芯片封装于反射镜的焦点位置。全反射面所起的作用的是，在LED芯片发出的、向侧面方向照射的光线在射到封装外面以前，将其先反射到封装内。然后反射镜将这些光线的方向改变成垂直于LED面，然后被释放到封装外。
    
    
    
    　　DR-LED备有照射角度在7度～90度之间的多种品种。照射角度通过改变反射镜头的形状而得到。还可以将照射角度缩小至5度左右，制作出更近似于点发光的产品。另外，通过改变LED芯片可以提高发光功率。在标准的LED中使用的是0.3mm×0.3mm左右的标准LED芯片，高功率产品则封装1mm×1mm左右的大尺寸LED芯片。
    
    　　由于此次的产品设置了全反射面和反射镜，因此在封装尺寸的小型化设计方面存在一定的限度。很难将圆筒形封装直径减小到5mm以下。因此，此次的封装结构不宜用于手机背照灯等使用芯片型LED的领域。该公司将把此次的产品主要用作替代光源，比如信号灯、车载设备以及照明设备等替代光源。
    
     注1:全反射面是指对某个入射角度以下的光线全部进行反射的镜面结构。