ST推出混合发射极开关双极晶体管

ST推出混合发射极开关双极晶体管

     (华强电子世界网讯) 意法半导体近日推出了一个混合发射极开关双极晶体管(ESBT)，这个被称作STE50DE100的新器件可用于焊接设备、感应加热系统和音频放大器的功率因数校正应用。
    
     STE50D100的集电极-源极能经受1000V的高压，集电极电流高达50A，这个四端子器件采用工业专用螺钉组装的TSOTOP封装。
    
     在设计上，新器件集中了双极晶体管和MOSFET管的优点，并且摒弃了它们的缺点。目前，功率双极晶体管技术广泛用于频率低于70KHz的电源开关应用，因为集电极-发射极饱和电压低，功率双极晶体管具有较低的导通损耗；但它的缺点是开关速度低、驱动电流大以及与驱动电路调优相关问题。
    
     相反，MOSFET技术广泛应用于高频电源开关应用中，MOSFET的主要优点是开关速度快、驱动电流极低。它的缺点是成本高于双极晶体管技术，导通功耗高。
    
     STE50DE100通过整合优点，消除缺点，把导通损耗降低到与双极晶体管相同的水平，同时在150KHz以下时高速开关性能达到了MOSFET的水平。此外，因为采用共射-共基放大器配置和专用的双极技术，该器件能够提供一个方形反向偏压安全工作区，所以它能够在需求苛刻的开关拓扑内工作。
    
     ISOTOP封装十分耐用，在25C时可以承受高达400W的总功耗。最高工作结温150C，绝缘电压2500V AC-RMS。订购1000件的单价为20.0美元。