IR推出500V L系列HEXFET功率MOSFET开关
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新器件扩充了IR用于ZVS电源的MOSFET系列，应用范围涵盖电信及其它高端开关电源系统。对于业界普遍需要即开即100%服务及宽负荷变化的行业，解决器件故障更是当务之急。
IR最新的L系列MOSFET，无需用于常规设计的串联肖特基和反并联高压二极管，有助减少部件数量、简化印刷电路板设计、降低整体损耗和改善功率密度。零电压开关正逐渐成为大电流电源的首选电源设计技术。配备ZVS电路的电源能在高频下实现高效操作，并减少无源元件尺寸和提高功率密度。
当MOSFET应用于高达250kHz频率工作的ZVS电路，特别是在MOSFET操作时间较短的轻负载情况下，体二极管的反向恢复特性至关重要。只有当集成体二极管完成反向恢复周期，MOSFET才能抵挡横跨漏极和源极的电压。集成体二极管的反向恢复时间对最小操作周期往往有直接影响。
IR的L系列MOSFET专为ZVS应用设计，其体二极管特性经全面改良，反向恢复时间 (Trr max) 低至250ns，缩短了70%，是业内最佳的反向恢复时间。此外，它们的二极管反向恢复电荷 (Qrr) 降低了70%多，有助降低开关损耗。二极管峰值恢复 (dV/dt) 耐量比现有标准器件高出3倍多。
当集成体二极管处于导通状态，MOSFET会随即启动，实际上已消除了ZVS结构电源设计中的开通损耗。随着开关损耗和功率转换器件的整体损耗大幅降低，开关电源 (SMPS) 可在更高频率下操作，从而缩减变压器和电容器等无源元件的尺寸，提高功率密度。随着业界积极寻求可在相同或更小占位上实现更高效率及功率输出的技术，ZVS也变得更为普及。这些为ZVS应用而设计的HEXFET MOSFET现已有供货。
（编辑 Rita）