英飞凌加入快闪EEPROM市场

英飞凌加入快闪EEPROM市场

     （华强电子世界网讯） 德国英飞凌科技公司（Infineon Technologies AG）宣布，该公司基于以色列Saifun半导体公司开发的非挥发性存贮技术“Saifun NROM”，实现了NAND型快闪EEPROM的产品化，并将参加快闪EEPROM市场。
    
     英飞凌将该技术称为“TwinFlash”技术。该公司存贮产品集团的最高负责人Harald Eggers说明称，“由于TwinFlash技术可沿用现有的DRAM生产设备，因此无须追加投资便可参加新市场”。
    
    　　NROM技术通过在一个晶体管单元内的不同物理场所分别存贮1bit的信息内容，从而使得单个晶体管能够存贮2bit的信息量。该技术无须减小晶体管的尺寸，便可使芯片尺寸比以往1bit/1单元的快闪EEPROM缩小40％。
    
    　　英飞凌计划利用170nm工艺技术在2004年底前开始以1万张/月的晶元投入量进行量产。将以TSOP封装提供芯片，主要瞄准SD存贮卡、MultiMediaCard、CompactFlashCard以及记忆棒等。在2004年底，从第2代产品开始面向日本市场供应量产品。