摩尔定律八年跳跃

摩尔定律八年跳跃

     （华强电子世界网讯） 美国威斯康星大学的科学家们已经开发出了一种用100纳米掩模刻制20纳米工艺芯片的技术，这将使摩尔定律出现一个意想不到的飞跃，同时有可能延长当前所使用的光刻技术的寿命。
    
     这种所谓的“亮度高峰（bright-peak）技术”可以通过调整掩模和晶片之间的空间来控制光刻过程。
    
     这项技术发明者之一的Franco Cerrina是威斯康星大学的教授，他与Jame Taylor教授以及研究员Lei Yang都在此间的纳米技术中心工作，他们共同发明了这种增强的X光进程的调整掩模。Taylor说：“我们知道如何利用进程调整技术来控制衍射，这种技术在X光甚至更传统的光学刻写工艺中都很有用。”他还说：“有了这种技术，你就可以用100纳米的掩模来刻写20纳米工艺的芯片了。”
    
    据Taylor介绍，在半导体生产商国际技术开发蓝图中，这大约要等到2010年才能实现。这项技术也是威斯康星大学纳米技术中心的科学家同此间的同步加速放射中心的科学家合作的结果。据他们介绍，这项技术让莫尔定律实现了八年的跳跃。
    
     由英特尔公司创始人戈登·摩尔当年提出的摩尔定律宣称，芯片上的晶体管数量每隔18个月就会增加一倍。
    
     据威斯康星大学的发明者们介绍，当今的芯片都是用248纳米或193纳米的掩模生产的，因而在芯片的感光性树脂上最多只能刻出100纳米的性能。
    
     业内分析人士一般认为，芯片制造商要想在芯片上刻出100纳米以下的性能，就必须放弃使用镜头聚光透过掩模在芯片上进行刻写的技术，因为石英镜头会吸收太多的光线，根本无法达到在芯片上刻写100纳米以下性能的要求。