砷化镓器件仍是蜂窝电话射频单元的首选
来源:电子工程专辑 作者: 时间:2003-03-19 19:50
(华强电子世界网讯) Strategy Analytics进行的新研究表明,尽管面向无线收发器集成电路的硅锗(SiGe)和CMOS取得了显著进展,但是砷化镓(GaAs)器件仍在蜂窝电话功率放大器(PA)中占统治地位。
市场研究公司Newton表示RFMD、Skyworks、日立和摩托罗拉等四家公司去年占据了120亿美元的蜂窝电话功率放大器市场份额。
砷化镓HBT(异质结双极性晶体管)在2002年的PA元件市场占统治地位。Strategy Analytics射频元件战略主任Chris Taylor表示,蜂窝电话市场的复苏、2.5或3代产品的推出或硅锗器件的更大普及都无法改变这一情况。
只有日立采用基站发射器技术制造的LDMOS功率晶体管,对手机内部的砷化镓市场造成了威胁。但由于GSM PA模块需要支持GPRS和其它2.5代技术,这一技术仍不能完全替代砷化镓HBT。
Taylor表示,砷化镓HBT在2GHz的频率下比LDMOS器件有更高的功率效率。因此,GSM手机市场更偏爱砷化镓用于GPRS和W-CMDA设计。