4Gbit芯片 英特尔三星再挑战

4Gbit芯片 英特尔三星再挑战

     (华强电子世界网独家报道) 韩国三星电子在“ISSCC 2004”国际半导体会议上，将发布通过采用2bit/单元的多值技术和最小加工工艺90nm制造技术实现的4Gbit NAND型闪存EEPROM。作为单一存储LSI，这一容量为目前全球最大。
    
     而与此同时，英特尔总裁Paul Otellini在一次会上表示：“我们的目标是在2004年冲破4GHz的屏障。”英特尔与财政分析师们对其计划进行了共同探讨，并表示明年将会大幅推进其系列产品性能，其中包括加快台式PC处理器的运作等等。
    
    　　迄今为止，英特尔时钟主频最快的为3.2GHz奔腾4芯片。 英特尔在即将推出的Prescott台式机处理器，采用90 nm加工工艺制造，并准备在这款处理器中达到4GHz的时钟主频。
    
     三星此次发表的NAND型闪存EEPROM的特点是能够用同一芯片（掩膜）实现大容量版（2bit/单元）和高速写入版（1bit/单元）两种规格的产品。英特尔Otellini则表示，Prescott处理器将在本季度向PC制造商发布，但对于台式PC要等到明年初才能推出。虽然各自着手点不相同，但不难看出，4Gbit芯片市场英特尔、三星新一轮市场大战才刚刚开始。