英特尔EUV光刻技术研发获重要突破

英特尔EUV光刻技术研发获重要突破

     (华强电子世界网讯) 8月3日北京消息 英特尔公司今天宣布，在远紫外线（EUV）光刻技术（用于制造未来微处理器的技术）开发方面，取得两项重要成果里程碑式的突破。英特尔公司安装了全球第一套商用EUV光刻工具，并建立了一条EUV掩模试产线，表明该技术已从研发阶段进入试用阶段。
    
     光刻技术是用于将电路印刷到计算机芯片的技术。为了在一枚芯片上安装更多晶体管，半导体制造商必须印刷不断缩小的部件。目前之所以开发EUV光刻技术，是因为预计当前的芯片印刷技术将在未来几年内达到其极限。英特尔预计此技术将于2009年开始应用到大批量生产中。
    
     EUV微型照射工具（Micro Exposure Tool）（MET）和采用世界首套EUV掩模制造工具的EUV掩模试验线的建立，将使英特尔能够印刷尺寸小于30纳米（nm）的电路，从而为EUV光刻技术投产后所需的15纳米分辨率做好准备。相比之下，今天在英特尔制造厂印刷的最小尺寸为50纳米。
    
     半导体工业就像是需要微型画笔来绘制微细线条的画家，它必须采用日益缩短的光波波长在芯片上印刷日趋缩小的电路。当今的光刻技术采用的是较长的光波，无法满足未来几年随着晶体管和其它电路元件尺寸的缩小，需要印刷微型部件的需求。由于EUV光刻技术采用波长仅为13.5纳米的光波，因此与今天使用的193纳米光波相比，它可能成为制造未来芯片所需的解决方案，然而在该技术的开发过程中仍然存在一些挑战。
    
     英特尔将使用微型照射工具（MET）来应对EUV光刻技术开发过程中面临的两大挑战：光刻胶（一种用于芯片印刷的重要化学混合剂）的开发；以及掩模缺陷（包括将在晶圆上印刷的电路模式）的影响。MET还将使英特尔能够集中致力于优化在批量生产过程中印刷小部件所需的变量。
    
     除了MET的安装，英特尔还成功建立了一条EUV掩模试产线，该试产线是英特尔内部计划进行未来掩模生产的基础。此试产线将EUV特定模块内建于英特尔现有的室内掩模生产流程中，其中包括世界首套商用EUV掩模制造工具。
    
     英特尔在MET和EUV掩模试验线方面的成就将成为重要的里程牌，同时英特尔将继续积极投资并与业界共同努力开发必要的基础设施和更多工具，以确保EUV光刻技术在2009年投产。而且，其在研发方面的战略投资，以及与Cymer、Media Lario和NaWoTec等公司的联合开发计划，将继续推动EUV光刻技术的不断发展。