关注0.09微米制造工艺
编者的话：在半导体行业，有著名的摩尔定律。一段时间，芯片速度将呈倍数增长。到现在为止，这个定律一直在被事实验证着。而且，英特尔公司正在用自己的方式重新演绎着摩尔的传奇。这也正是其能不断引领芯片潮流的重要原因。创新永远是其保持活力的法宝。
现在，英特尔推出了0.09微米制造工艺，又是技术的一个高峰。于是就又成了新的潮流。摩托罗拉，意法半导体等结成联盟，为的是突破这个技术。同时，英特尔的老对头AMD联合台湾芯片巨头联华电子，为的也是打造这个技术。可见，芯片业的前端竞争还是相当的激烈，虽然还是英特尔独领风骚。
看看我国的芯片技术，中芯国际突破0.18已经是零的突破。可以想见，我们和国际巨头在核心技术上的差距。除了学习，我们还能做什么呢？
(华强电子世界网讯) 随着AMD“大锤”发布日期日益临近，各种相关介绍、评论及预测类文章充斥了各大IT媒体，引发了一阵又一阵的热潮。一时间，“大锤”似乎已占尽了风头。人们在谈起Intel时，似乎只剩下了提速、降价的话题。
不过，英特尔就是英特尔，这个财力雄厚的芯片巨人可不甘心让对手抛到后面，除坚持推新、调价策略外，英特尔在新技术、新产品研发方面也没闲着。它已准备用现有奔腾4微处理器的接班人、基于0.09微米制造工艺的“Prescott”迎击“大锤”。
赛迪网资讯中心年初就已报道过关于“Prescott”的消息，业界人士称其为“新奔4”，英特尔表示，这款微处理器在技术上的进步可用“质的飞跃”来形容，除拥有更高的工作频率外，它还可内置高达1MB的二级缓存，同时，它采用的超级多线程工作模式（Hyper Threading）和全新指令集也将使其性能达到一个前所未有的高度。
"Prescott”的性能指标足以让PC发烧友们为之疯狂，这表明：作为微处理器市场上的老大，在新一代产品研发方面，英特尔的步伐并不比AMD慢，甚至还领先于对手，它的0.09微米制造工艺就是最好的说明。正因为能够导入这种先进的制造工艺，“Prescott”的设计、出色的性能表现才能成真，它所需的高集成度、高性能离不开0.09微米制造工艺的支持。
在制造工艺方面英特尔的改进速度可谓世界一流，它不久前才刚刚导入了0.13微米制造工艺，还没过1年，它就用0.09微米制造工艺生产出了结构比较简单的SRAM（高速缓存）产品，明年它还将用这种新工艺来量产微处理器。
众所周知，微处理器工作性能在一定程度上取决于其内置的高速缓存芯片（SRAM Cache）容量。在极限范围内，缓存容量越大、微处理器性能就越出色。
目前，微处理器内置高速缓存容量大多数是512KB或者1MB。而0.09微米制造工艺可提高芯片集成度的特点，可在不增加芯片面积的情况下，大大提升微处理器核心中高速缓存的容量。
在今年3月份发布会上，英特尔就亮出了有史以来容量最大的高速缓存芯片——采用0.09微米制造工艺生产6.5MB SRAM芯片，得益于新工艺，其容量仍有不少提升空间。
在微处理器方面，“Prescott”将是首款受益的产品，采用新工艺后，它可内置1MB二级缓存，与AMD“大锤”一较高下。对于台式机而言，如此大容量的缓存确实令人兴奋。但为避免台式机用微处理器挤占利润丰厚的服务器用微处理器市场，英特尔将在其采用0.13微米制造工艺的第三代安腾——“Madison”中内置高达6MB的三级缓存，未来采用0.09微米工艺，集成8000万颗左右晶体管的第四代安腾——“Montecito”可支持12MB的三级缓存。
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拉开硅原子！让电流加速前进
更大容量，更小体积的核心高速缓存不过仅仅是0.09微米工艺带来的一个变化而已。在英特尔公布的0.09微米工艺细节中，还有一项名为“硅拉伸”（Strained Silicon）的技术引起了人们的关注。
要更好地理解这个新技术名词，我们还得先回忆一下关于晶体管的几个基本概念。
众所周知，晶体管的基本作用就是根据需要，在“开”的状态下让电流尽可能大地经过，而在“关”的状态下则切断电流。而事实上，目前晶体管的工作性能表现还无法完全达到这个理论上的水平，为尽量提高晶体管的工作效率，科学家们研究出了各种新技术，如有助于大幅提高晶体管电流切断技术、和SOI相反，“硅拉伸”技术则有助于晶体管在“开”的状态下大幅提高电流速度。
这项技术的原理其实很简单：通过拉伸硅片，硅原子间的距离增大，电流经过时其阻力必然比原来更小，即让晶体管在“开”的状态下将允许更多电子经过。对这项技术非常了解的IBM和英特尔称，采用硅拉伸技术后，晶体管的电流量比原来增大了10%至20%，这有助于微处理器性能的提高。据英特尔介绍，“硅拉伸”技术并不是简单地象拉面条一样从两端将硅片拉长：这种工艺需要一种特殊的硅锗底基，这种底基的原子间距离比待拉伸硅片原子间距离大；将待拉伸硅片放在该底基上，受底基原子作用，硅片中的原子也将向外运动，彼此前拉开距离，从而减少对电流的阻力。
7层铜互连技术！降低芯片制造成本
基于硅圆晶上单位电路密度和制造成本的考虑，目前0.13微米制造工艺全部采用了6层铜互连技术。Intel表示，0.09微米制造工艺可更进一步、采用7层铜互连技术！
据介绍，采用7层铜互连技术最直接的好处就是：诸如“Prescott”和“Montecito”等集成上亿颗晶体管的微处理器生产成本更低，良品率更高。
当然，0.09微米制造工艺所带来的好处远不仅这几点，尤其是对于绝大多数人而言，新工艺给他们带来的最深刻印象，无疑是微处理器时钟频率的提升和能耗的降低。据悉，英特尔首批采用0.09微米工艺生产的微处理器产品核心工作电压仅为1.20V，这个数字还将随着技术的进步而不断降低。
最后，让我们一起来看看英特尔微处理器产品蓝图吧：英特尔将在今年年底推出采用0.09微米工艺制造的微处理器产品样品，和以往不同的是，这次最先应用新技术的不再是利润丰厚的笔记本微处理器产品线，而是台式机和服务器微处理器产品。
这是因为，按照英特尔的计划，奔腾4将逐步淡出笔记本用微处理器市场，开发代号为“Banias”的笔记本微处理器未来将接棒、专攻这一市场。因此最早出现在市场上的0.09微米产品将是采用“Northwood”核心的XEON服务器用微处理器，随后就是“Prescott”台式机用微处理器和第四代安腾微处理器——“Montecito”。
应该说，0.09微米制造工艺的成功应用让人们看到了芯片工业的美好未来。也许在一年之后，集成了1亿颗以上晶体管，内置1MB二级缓存，时钟频率高达4GHz的“Prescott”就将走入普通家庭的PC中，掀起新一轮购机升级高潮。
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芯片三巨头联合推0.09微米芯片设计平台
AMD携手联华电子公布0.09微米芯片计划
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看看我国的芯片技术，中芯国际突破0.18已经是零的突破。可以想见，我们和国际巨头在核心技术上的差距。除了学习，我们还能做什么呢？
(华强电子世界网讯) 随着AMD“大锤”发布日期日益临近，各种相关介绍、评论及预测类文章充斥了各大IT媒体，引发了一阵又一阵的热潮。一时间，“大锤”似乎已占尽了风头。人们在谈起Intel时，似乎只剩下了提速、降价的话题。
不过，英特尔就是英特尔，这个财力雄厚的芯片巨人可不甘心让对手抛到后面，除坚持推新、调价策略外，英特尔在新技术、新产品研发方面也没闲着。它已准备用现有奔腾4微处理器的接班人、基于0.09微米制造工艺的“Prescott”迎击“大锤”。
赛迪网资讯中心年初就已报道过关于“Prescott”的消息，业界人士称其为“新奔4”，英特尔表示，这款微处理器在技术上的进步可用“质的飞跃”来形容，除拥有更高的工作频率外，它还可内置高达1MB的二级缓存，同时，它采用的超级多线程工作模式（Hyper Threading）和全新指令集也将使其性能达到一个前所未有的高度。
"Prescott”的性能指标足以让PC发烧友们为之疯狂，这表明：作为微处理器市场上的老大，在新一代产品研发方面，英特尔的步伐并不比AMD慢，甚至还领先于对手，它的0.09微米制造工艺就是最好的说明。正因为能够导入这种先进的制造工艺，“Prescott”的设计、出色的性能表现才能成真，它所需的高集成度、高性能离不开0.09微米制造工艺的支持。
在制造工艺方面英特尔的改进速度可谓世界一流，它不久前才刚刚导入了0.13微米制造工艺，还没过1年，它就用0.09微米制造工艺生产出了结构比较简单的SRAM（高速缓存）产品，明年它还将用这种新工艺来量产微处理器。
众所周知，微处理器工作性能在一定程度上取决于其内置的高速缓存芯片（SRAM Cache）容量。在极限范围内，缓存容量越大、微处理器性能就越出色。
目前，微处理器内置高速缓存容量大多数是512KB或者1MB。而0.09微米制造工艺可提高芯片集成度的特点，可在不增加芯片面积的情况下，大大提升微处理器核心中高速缓存的容量。
在今年3月份发布会上，英特尔就亮出了有史以来容量最大的高速缓存芯片——采用0.09微米制造工艺生产6.5MB SRAM芯片，得益于新工艺，其容量仍有不少提升空间。
在微处理器方面，“Prescott”将是首款受益的产品，采用新工艺后，它可内置1MB二级缓存，与AMD“大锤”一较高下。对于台式机而言，如此大容量的缓存确实令人兴奋。但为避免台式机用微处理器挤占利润丰厚的服务器用微处理器市场，英特尔将在其采用0.13微米制造工艺的第三代安腾——“Madison”中内置高达6MB的三级缓存，未来采用0.09微米工艺，集成8000万颗左右晶体管的第四代安腾——“Montecito”可支持12MB的三级缓存。
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拉开硅原子！让电流加速前进
更大容量，更小体积的核心高速缓存不过仅仅是0.09微米工艺带来的一个变化而已。在英特尔公布的0.09微米工艺细节中，还有一项名为“硅拉伸”（Strained Silicon）的技术引起了人们的关注。
要更好地理解这个新技术名词，我们还得先回忆一下关于晶体管的几个基本概念。
众所周知，晶体管的基本作用就是根据需要，在“开”的状态下让电流尽可能大地经过，而在“关”的状态下则切断电流。而事实上，目前晶体管的工作性能表现还无法完全达到这个理论上的水平，为尽量提高晶体管的工作效率，科学家们研究出了各种新技术，如有助于大幅提高晶体管电流切断技术、和SOI相反，“硅拉伸”技术则有助于晶体管在“开”的状态下大幅提高电流速度。
这项技术的原理其实很简单：通过拉伸硅片，硅原子间的距离增大，电流经过时其阻力必然比原来更小，即让晶体管在“开”的状态下将允许更多电子经过。对这项技术非常了解的IBM和英特尔称，采用硅拉伸技术后，晶体管的电流量比原来增大了10%至20%，这有助于微处理器性能的提高。据英特尔介绍，“硅拉伸”技术并不是简单地象拉面条一样从两端将硅片拉长：这种工艺需要一种特殊的硅锗底基，这种底基的原子间距离比待拉伸硅片原子间距离大；将待拉伸硅片放在该底基上，受底基原子作用，硅片中的原子也将向外运动，彼此前拉开距离，从而减少对电流的阻力。
7层铜互连技术！降低芯片制造成本
基于硅圆晶上单位电路密度和制造成本的考虑，目前0.13微米制造工艺全部采用了6层铜互连技术。Intel表示，0.09微米制造工艺可更进一步、采用7层铜互连技术！
据介绍，采用7层铜互连技术最直接的好处就是：诸如“Prescott”和“Montecito”等集成上亿颗晶体管的微处理器生产成本更低，良品率更高。
当然，0.09微米制造工艺所带来的好处远不仅这几点，尤其是对于绝大多数人而言，新工艺给他们带来的最深刻印象，无疑是微处理器时钟频率的提升和能耗的降低。据悉，英特尔首批采用0.09微米工艺生产的微处理器产品核心工作电压仅为1.20V，这个数字还将随着技术的进步而不断降低。
最后，让我们一起来看看英特尔微处理器产品蓝图吧：英特尔将在今年年底推出采用0.09微米工艺制造的微处理器产品样品，和以往不同的是，这次最先应用新技术的不再是利润丰厚的笔记本微处理器产品线，而是台式机和服务器微处理器产品。
这是因为，按照英特尔的计划，奔腾4将逐步淡出笔记本用微处理器市场，开发代号为“Banias”的笔记本微处理器未来将接棒、专攻这一市场。因此最早出现在市场上的0.09微米产品将是采用“Northwood”核心的XEON服务器用微处理器，随后就是“Prescott”台式机用微处理器和第四代安腾微处理器——“Montecito”。
应该说，0.09微米制造工艺的成功应用让人们看到了芯片工业的美好未来。也许在一年之后，集成了1亿颗以上晶体管，内置1MB二级缓存，时钟频率高达4GHz的“Prescott”就将走入普通家庭的PC中，掀起新一轮购机升级高潮。
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(编辑 志风)