黄崇仁: DRAM反弹确立

黄崇仁: DRAM反弹确立

     DRAM价格近期急涨，市场对价格反弹普遍采观望之际，力晶（5346）董事长黄崇仁昨（6）日出席力晶转投资的太阳能电池厂新日光联贷案后信心喊话；他表示，价格反弹趋势确立，尤其目前通路端库存大降，明年DRAM市况肯定比今年好。
    
     尽管黄崇仁出面喊话，但昨天DRAM价格在近期急涨后压回。根据集邦科技昨天晚盘报价，512Mb DDRII有效测试颗粒（eTT）均价下跌6.22%，报价为0.84美元。另一本土DRAM大厂南科（2408）今（7）日举行法说，预料将成为判断市场走势的重要风向球。
    
     黄崇仁表示，记忆体价格不稳定，不少通路商不敢堆积太多库存，据他了解，目前通路端库存量至少比一般正常期间少三周，价格反弹必然发生，态势也相当确立。
    
     黄崇仁指出，不少记忆体晶片大厂陆续将产能转至生产快闪记忆体，减少DRAM价格暴跌冲击，有助价格回稳。力晶与尔必达目前也陆续将产能转至非标准型记忆体产品，预期这波DRAM反弹“不是瞬间发生”。
    
     黄崇仁对明年DRAM看法相当正面。他认为，今年DRAM价格不好，不少厂商缩手明年扩产计画，对稳定市况会有很大帮助。
    
     至于外传力晶有意与合作伙伴日商尔必达（Elpida）一同前往大陆沈阳投资设厂，黄崇仁直言：“没这回事”。他说，近期虽有前往大陆一些城市，但仅是观摩，暂无任何投资计画。力晶11月营收43.13亿元，较10月衰退约一成；前11月营收731.67亿元，较去年同期衰退约9.37%。力晶预期，近期DRAM价格反弹，未来营运可望渐入佳境。