集邦DRAM合约报价 11月下旬跌5％

集邦DRAM合约报价 11月下旬跌5％

     集邦科技最新DRAM、NAND FLASH合约报价出炉。反应现货行情下探，十一月下旬DRAM合约报价平均跌幅约五％，Nand Flash则为持平、稳健状态。集邦科技表示，在年终假期销售旺季前需求支撑下，短期NAND Flash合约价可望趋于平稳；一旦下游客户年终假期销售状况不错，未来传统淡季来临时NAND Flash合约价回跌幅度比较有限。
    
     此外，DRAM目前1Gb ETT也跌破二美元大关，均价一．七五美元，在跌幅过快之际，预期明年第二季1Gb可望成终端市场的主流规格。
    
     十一月上旬DDR2 667 1GB内存模块平均成交价约落在二二美元，随着现货价格持续下滑与十月出货旺季已过，OEM厂商普遍拿货意愿不高。
    
     由于现货、合约价格价格仍有一○％空间，十一月下旬合约价持续微幅下探。
    
     集邦科技指出，目前一颗DDR2 1Gb eTT的价格已逼近二颗DDR2 512Mb eTT价格，将会正式带动1GbT与512Mb的世代交替，并加速2GB内存模块跨入主流市场。以DDR2 1GB内存模块来说，使用DDR2 1Gb eTT颗粒只需打上单面的颗粒，不但节省打件时间，也可省下部份组件费用，整体加工费约可减少八％，对于模块厂而言，也为另一种蹲节成本方法。
    
     集邦科技认为，Vista SP1将于明年释出，预期今年底前搭载2Gb内存的笔记型计算机与桌上型计算机的比重将达六○％至七○％水平。
    
     而在1Gb颗粒量产规模上，则是持续扩大，明年第二季1Gb颗粒可望取代512Mb颗粒，成为市场主流。
    
     此外，由于Nand Flash下游客户十一月上旬库存水位已有效降低，部份厂商于十一月下旬开始准备年底销售旺季所需的芯片，因此带动合约报价持平。
    
     力晶已在12A厂以90奈米投片生产4Gb AG-AND芯片，单月生产量已达二千片；通用规格的8Gb、4Gb NAND FLASH以70nm试产，最快将在明年首季可以量产。
    
     茂德正以中科12吋厂采70nm技术，进行4Gb、8Gb MLC芯片试产，期望明年下半年再开始量产。