Hynix DDR内存技术新时代 迈向54nm工艺

Hynix DDR内存技术新时代 迈向54nm工艺

     近日，处理器宣布进入45nm级别，开创一个新的处理器技术革命时代。此时内存业也有好消息传出，由于得到Intel的认证许可，Hynix宣布正式推出54nm工艺1Gb DDR2 DRAM内存。这也是内存业内首次进入50nm工艺技术的级别。
    
     更先进的工艺制程将有效减小电子产品的面积，因此，54nm的内存芯片相比60nm而言，减小了将近40%。不仅有效的解决了功耗问题，同时也大大降低了生产成本。在节能降耗方面，Hynix还提出了“三维晶体管”架构和“W-DPG”的技术。“三维晶体管”架构和“W-DPG”的技术的原理类似于本次45nm处理器的金属晶体管闸门与高K-金属栅极，有效减小内部电流的损失，从而根本性的解决功耗问题，有效降低总体功耗。
    
     Hynix表示，54nm工艺的内存芯片将在明年下半年投产，主要应用于生产DDR2和DDR3内存芯片，容量为1Gb、2Gb，同时在显存和移动内存芯片方面也有涉及。