美光发出警告 光刻技术将是NAND闪存瓶颈

美光发出警告 光刻技术将是NAND闪存瓶颈

     全球NAND型闪存(Flash)大厂美光(Micron)近来针对全球NANDFlash市场未来发展发出警告，目前NANDFlash厂工艺技术发展相当快速且先进，但光刻技术无法跟上NANDFlash厂发展，尤其令人感到惊讶的是，光刻设备商技术竟远落后NANDFlash大厂数年，几家NANDFlash厂商为了未来顺利发展，还必须领先光刻设备商，自行开发一些相关技术。
    
     近来全球各大DRAM厂为能有效运用旗下晶圆厂，加上NANDFlash市场增长率远高于标准型DRAM，促使多家DRAM大厂纷纷投入NANDFlash市场，就连台系DRAM厂力晶及茂德，也相继宣布将投入NANDFlash市场研发及制造行列，其中，力晶更是大张旗鼓地投入兴建12英寸厂，希望能赶上新一波内存需求潮。
    
     不过，正当DRAM大厂纷纷投入NANDFlash市场，美光却提出警告，美光NANDFlash发展事业群副总裁FrankieRoohparvar表示，目前NANDFlash发展所遇到最大瓶颈在于光刻技术，事实上，光刻技术已远落后NANDFlash技术至少好几年。目前光刻技术设备供货商完全跟不上NANDFlash厂商技术，NANDFlash厂已领导半导体业界工艺技术。
    
     美光表示，现在对于50纳米工艺技术，甚至在扫瞄机发展前便已完全准备好，美光必须先在光刻技术上作好准备，才有助于美光在50纳米工艺技术顺利发展。目前193纳米浸润式扫瞄机到了45纳米工艺可能已无法使用，至于下世代浸润式扫瞄机，预计将可使用到32纳米工艺。
    
     多家DRAM厂指出，做NANDFlash困难度确实较标准型DRAM要难上许多。NANDFlash发展不仅在光刻技术上将出现瓶颈，过去采用NANDFlash架构到45纳米工艺以下时，便会遭遇到一些物理极限限制，因而发明SONOS架构技术，使DATAFlash到45纳米工艺以下时，依然可继续走下去。
    
     目前全球各大DATAFlash厂无不想尽办法，希望能不断改良SONOS架构，使其早日顺利量产商业化。不过，SONOS仍有瓶颈待克服，最快要到2008年才会见到类似SONOS架构的TANOS产品量产。TANOS结构系由钽金属、氧化铝(高K材料)、氮化物、氧化物和硅晶层所组成，TANOS结构采用，也象征产业界首次将金属层和高K材料结合应用于NAND设备中。
    
     由于各大半导体厂已认识到，若不采用SONOS架构，无法再将DATAFlash带进下一世代，因此，包括飞思卡尔(Freescale)、赛普拉斯(Cypress)等大厂，均开始积极投入研发。
    
     （来源：DigiTimes）