看好内存封测景气 南茂Q4营运乐观

     内存与驱动IC封测厂商南茂科技( ChipMos)看好第 4季DRAM内存封测业务表现，为第 4季营收成长动能来源，预期产能利用率将维持 8成以上高档水平。南茂表示，在主要客户茂德(5387)、力晶(5346)等DRAM颗粒产出增加，以及积极将制程转进至70奈米，将提高对后段DRAM测试的需求，挹注营收成长。南茂指出，随着DRAM主流制程不断微缩，后段的封装测试成本所占比重有垫高趋势，尤其是DRAM测试业务因测试机台贵，加上制程微缩使得测试时间拉长，不仅造成市场上测试产能供给不稳定的情况，并使DRAM测试成本愈来愈高。台湾DRAM制造商力晶、茂德早已将DRAM后段封测全数委外生产，日本DRAM大厂尔必达 (Elpida)也将DRAM封测委由台湾的力成 (6239)、华东 (8110)、日月鸿封测；现在甚至传出一向不愿意将封测制程委外的全球第一大DRAM厂韩国三星，也来台探寻后段封测产能的可能。南茂目前以封装生产线产能利用率达 9成以上最高，内存测试设备产能利用率约78%到80%，LCD驱动IC封测产能利用率在80%到85%；南茂认为，以各项业务第4季营运前景而言，DRAM封测的成长空间较大。南茂表示，以资本支出的投资顺序来说，南茂首先会扩增封装生产线产能，原因是不论DRAM、 Flash或是逻辑IC等，都可用 BGA(闸球数组封装)型式进行封装，预估第4季BGA封装单月产能可达到8000万颗，加上导线架形式的TSOP封装产能，第4季整体封装产能将上看1.1亿颗。