NAND Flash产业50纳米挑大梁 4Q占产出上看30%
2007年NAND Flash在50纳米制程技术上，进度相当缓慢，主要是因为之前NAND Flash大厂在转换制程过程中，陆续出纰漏，使得这次各厂转制程的态度上更加小心翼翼。目前三星电子(Samsung Electronics)、东芝(Toshiba)的50纳米制程已开始量产中，海力士(Hynix)的57纳米和英特尔(Intel)的50纳米制程的MLC(Multi-Level Cell)也将在第4季大量供货，预计第4季整个市场上，50纳米制程的比重可超过25%，2008年第1季会是正式挑大梁的时间点。
2007年NAND Flash制程前进的速度相当慢，针对50纳米制程的产品，NAND Flash大厂大量供货的时间点一延再延，在供给受限下，也使得之前NAND Flash价格一路水涨船高，目前东芝的56纳米和三星的50纳米制程已开始陆续交货，但数量仍是有限，50纳米制程的产品占整体NAND Flash供货上，大概接近20%，预计第4季可超过25%，甚至超过30%比重。
目前NAND Flash供给虽然已逐渐舒缓，但以众家厂商来看，东芝的供货情况仍旧是处于小幅吃紧状态，主要是因为东芝有一半NAND Flash产能分给快闪记忆卡大厂新帝(SanDisk)，且东芝的订单以内需和合约市场为主，客源相当稳定。
此外，由于多芯片封装MCP(Multi-Chip Packaging)的毛利率较高，且手机市场应用和需求皆相当多元化，因此之前东芝也分配大部分的产能给MCP产品，使得东芝的NAND Flash供给一直相较三星、海力士等NAND Flash大厂，情况较为吃紧。
海力士之前在60纳米制程世代，也遭遇不少瓶颈，目前将部分研发心力放在57纳米制程技术上，虽然SLC(Single-Level-Cell)产品已开始量产，但MLC制程芯片预计要到11月正式开始量产，届时海力士也将正式步入50纳米制程世代。
整体来看，50纳米制程的量产时间点，从第2季一直延宕至今，第4季已逐渐确定量产的趋势，且占整体市场的比重都可超过25%，这也是历年来的制程演进中，花时间最久的一次，凸显NAND Flash大厂量产投片态度上的小心翼翼，接下来在40纳米制程世代，也将是一大考验之一。
2007年NAND Flash制程前进的速度相当慢，针对50纳米制程的产品，NAND Flash大厂大量供货的时间点一延再延，在供给受限下，也使得之前NAND Flash价格一路水涨船高，目前东芝的56纳米和三星的50纳米制程已开始陆续交货，但数量仍是有限，50纳米制程的产品占整体NAND Flash供货上，大概接近20%，预计第4季可超过25%，甚至超过30%比重。
目前NAND Flash供给虽然已逐渐舒缓，但以众家厂商来看，东芝的供货情况仍旧是处于小幅吃紧状态，主要是因为东芝有一半NAND Flash产能分给快闪记忆卡大厂新帝(SanDisk)，且东芝的订单以内需和合约市场为主，客源相当稳定。
此外，由于多芯片封装MCP(Multi-Chip Packaging)的毛利率较高，且手机市场应用和需求皆相当多元化，因此之前东芝也分配大部分的产能给MCP产品，使得东芝的NAND Flash供给一直相较三星、海力士等NAND Flash大厂，情况较为吃紧。
海力士之前在60纳米制程世代，也遭遇不少瓶颈，目前将部分研发心力放在57纳米制程技术上，虽然SLC(Single-Level-Cell)产品已开始量产，但MLC制程芯片预计要到11月正式开始量产，届时海力士也将正式步入50纳米制程世代。
整体来看，50纳米制程的量产时间点，从第2季一直延宕至今，第4季已逐渐确定量产的趋势，且占整体市场的比重都可超过25%，这也是历年来的制程演进中，花时间最久的一次，凸显NAND Flash大厂量产投片态度上的小心翼翼，接下来在40纳米制程世代，也将是一大考验之一。