东芝展示面向32nm工艺的铜布线技术
通过45nm工艺形成双层铜布线的300mm晶圆
自组织隔离膜（1）
自组织隔离膜（2）
东芝在“CEATEC JAPAN 2007”上展示了使用自组织隔离膜的铜布线技术。计划应用于2009～2010年投入量产的32nm工艺。此次展示了通过45nm工艺形成双层铜布线的300mm晶圆。
自组织隔离膜与原来的ALD（atomic layer deposition）法生成的膜相比，密着性和质量高，有望应用于新一代铜布线。东芝从05年开始在各种学会上发布这项技术。（参阅本站报道）。在绝缘膜的沟道上溅射生成CuMn，嵌入Cu后进行加热，Mn发生扩散、在绝缘膜之间的界面上与氧气发生反应生成隔离膜（MnOx或MnSixOy）。隔离膜厚度仅2～3nm，这样便使铜布线的实际截面面积增大。另外，连接下层和上层布线的过孔底部不接触氧气因此不会生成隔离膜，可提高布线的连接可*性。
来源：日经BP社
自组织隔离膜（1）
自组织隔离膜（2）
东芝在“CEATEC JAPAN 2007”上展示了使用自组织隔离膜的铜布线技术。计划应用于2009～2010年投入量产的32nm工艺。此次展示了通过45nm工艺形成双层铜布线的300mm晶圆。
自组织隔离膜与原来的ALD（atomic layer deposition）法生成的膜相比，密着性和质量高，有望应用于新一代铜布线。东芝从05年开始在各种学会上发布这项技术。（参阅本站报道）。在绝缘膜的沟道上溅射生成CuMn，嵌入Cu后进行加热，Mn发生扩散、在绝缘膜之间的界面上与氧气发生反应生成隔离膜（MnOx或MnSixOy）。隔离膜厚度仅2～3nm，这样便使铜布线的实际截面面积增大。另外，连接下层和上层布线的过孔底部不接触氧气因此不会生成隔离膜，可提高布线的连接可*性。
来源：日经BP社