NAND厂加速扩产 明年均价再落5成

     NAND今年平均价格大跌逾七成，目前八Gb NAND多值化（MLC）芯片现货价已跌至五美元以下，不过包括三星、海力士、东芝、新帝、IM Flash等大厂，均看好明年手机用小型记忆卡及固态硬盘（SSD）强劲需求，明年仍会持续大扩产能，平均位年成长率仍超过一倍，所以业内人士均预估，明年NAND均价至少会再下跌五成，十六Gb NAND均价下看五美元。
    
     十六Gb均价下看五美元
    
     包括三星、海力士、东芝及新帝在内的全球前三大NAND供货商，上周陆续举行第三季法说会，并透露明年将大幅扩大NAND产能消息。根据各业者法说会中预估，三星预计明年NAND位年增率将达一二○％，海力士估计将达一一○％至一二○％间，新帝则表示其与东芝合资的新十二寸厂Fab4已进入量产，明年十二寸厂月产能将由今年的十五万片扩增至明年的二十一万片。
    
     同时，三家NAND大厂也积极进行制程微缩工程，如三星预计明年中旬五一奈米制程就可全面量产，海力士五七奈米制程良率已获显著提升，东芝五六奈米也将于明年中全面性导入。而令市场感到惊讶之处，则是NAND厂多值化技术获得突破，明年下旬单晶元三位（3bit per cell）NAND就会开始投片，等于现在单晶元单位元的八Gb NAND若明年导入新多值化技术，就可生产出二十四Gb高容量NAND芯片。
    
     看好小型记忆卡成长性
    
     虽然三家NAND大厂之所以大扩明年产能，主要看好手机应用小型记忆卡需求将大增逾五成，且会有更多的笔记型计算机或多媒体手机内建高容量SSD快闪硬盘。但是庞大的NAND产能在明年中旬起大幅开出，也将造成NAND价格出现大跌走势，现在国内模块厂及通路商就预估，三大NAND厂及IM Flash明年如果真依原订计划扩产，明年NAND价格至少会再跌五成，等于十六Gb NAND现货价可见到五美元新低价。
    
     DRAM年增率可望下降
    
     相较于内存大厂明年扩产重心放置在NAND上，DRAM产能当然受到些许排挤效应，市调机构预估DRAM位年增率将由今年的九○％以上，至明年下降至四五％至五○％左右。只要明年微软Vista销售量打开，有效刺激DRAM搭载率由现在的一．七GB大幅拉升至明年的二．五GB，将可大幅纾解DRAM产能过剩压力，五一二Mb DDR2价格也可望在明年中旬左右，回升至一．五美元至二美元区间。