扩产节制 DRAM厂估明年位产出成长降至5成

扩产节制 DRAM厂估明年位产出成长降至5成

     台湾内外DRAM厂今年同步积极扩产，估计今年DRAM位产出将较去年大增 7至 8成水平。而在当前DRAM市况不佳，市场供过于求情况严重，各DRAM厂对于明年扩产计划多有所节制，因此预期，明年DRAM位产出成长恐将大幅降至 5成。根据估计，台湾DRAM厂力晶 (5346)、南科 (2408)、华亚科 (3474)及茂德 (5387)今年将共计投入新台币2300亿元以上庞大资金扩产，并将制程技术推进至70奈米；各厂今年DRAM位产出同步大增逾 65%，其中华亚科增幅最大，达110%。南科位出货增幅最小，仍达 65%至 70%水平；茂德位产出增加约 85%至 86%；台湾DRAM龙头力晶位产出也增加达 9成。南韩海力士今年位产出估计也将较去年倍增。而DRAM厂大幅扩产，使得DRAM市场供过于求情况严重，产品价格频频破底，根据集邦科技调查，DDR2 512Mb ETT去年底仍有 5.5美元水平，今年最低仅剩 1美元，跌幅高达 81%。随着产品价格大跌，DRAM厂营运普遍面临亏损窘境，包括力晶、茂德及南科三家台湾DRAM大厂今年第二季即合计亏损新台币 105亿元，虽然第三季亏损金额缩小，不过仍合计亏损65亿元。为因应当前DRAM市况不佳，各DRAM厂已纷纷缩减明年资本支出，南科及华亚科明年资本支出将同步降至300 亿元，其中南科减少幅度高达 5成，华亚科减少幅度约 33%；茂德初步规划明年资本支出约 8亿美元，也将较今年减少达 57.3%。华亚科总经理高启全已明确表示，公司明年并没有新厂加入量产，新增产能将主要来自公司一、二厂制程技术转换至70奈米效益显现，明年位出货量将较今年增加 5成，成长幅度将较今年减少一半以上。茂德虽然新厂甫于今年第三季加入量产行列，目前月产能仅约 1.5万片规模，仍有不小扩充空间，不过公司初步规划明年将仅扩增 1.5万片产能，达月产 3万片规模，也因此明年位产出将增加 5成左右水平。南科则因有一座12寸厂加入量产，明年DRAM位产出增幅将较大，不过仍约 8成左右水平。而三星等国外DRAM大厂明年DRAM产能并没有扩张计划，将主要仰赖制程技术推进贡献。因此估计明年整体DRAM位产出增幅将约 5成。只是根据集邦科技预估，明年DRAM需求将仅成长 4成，整体DRAM市场仍将难以摆脱供过于求的困境。