海力士预计明年DRAM出货量将增长50-60%
来源：半导体国际 作者： 时间：2007-10-25 18:15
韩国海力士半导体近日表示，预计2008年动态随机存取存储器（DRAM）芯片出货量将增长50-60%。
海力士预估，2008年NAND快闪存储器出货量将较今年激增110-120%。同时，该公司预计第四季度NAND快闪存储器价格将温和下跌。
该公司同时指出，2008年计划投资约4万亿韩元，略低于2007年4.4万亿的资本支出。
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