NAND Flash市场明年1Q恐掀大风暴

NAND Flash市场明年1Q恐掀大风暴

     近期全球NAND型闪存(Flash)合约价跌幅已出现大幅缩小，不过，部分内存业者却忧心地指出，这恐怕仅是暴风雨前的宁静，随着全球NAND Flash业者12英寸厂几乎全数转进50纳米工艺世代出货，加上市场需求进入淡季，真正的风暴恐将在2008年第1季度来临，届时NAND Flash价格恐再度较目前报价腰斩。
    
     根据DRAMeXchange所公布11月上半年NAND Flash合约价，跌幅在5%以内，这与先前动辄高达20%~30%跌幅情况相较，已有明显改善迹象，主要原因在于下游终端客户10月先行降低库存，进入11月中旬前，市场为2007年底圣诞节采购旺季而有备货需求出现，使得NAND Flash合约价在11月初出现止跌回稳现象。
    
     不过，这样的好景况可能仅是短暂的，内存业者坦言，尽管11月合约价跌幅已缩小，但由于2007年底多数NAND Flash业者将产能转进50纳米工艺世代，像是东芝(Toshiba)旗下所有12英寸厂均已全数转进56纳米工艺出货。
    
     另外，三星电子(Samsung Electronics)最慢在2008年初，大多数12英寸厂产能亦将转进50纳米工艺技术，光是东芝及三星这2大NAND Flash大厂，因为产能转进50纳米工艺世代，产出量便将较前1世代足足增加至少30%~40%，这还不包含IM Flash转进50纳米工艺所增加产出量部分。
    
     事实上，IM Flash在50纳米工艺进度上亦是急起直追，目前估计到第4季度IM Flash采用50纳米工艺出货比重，将占其整体产能大多数。此外，SanDisk出货进度也是与东芝同步，亦即Sandisk到第4季度绝大部分产品将采用50纳米工艺出货，由此可看出整体NAND Flash市场到第4季度已进入50纳米工艺世代争霸战。
    
     至于海力士(Hynix)方面，目前在60纳米工艺良率相当不错，估计到2007年底将会超过80%采用60纳米工艺出货，而其57纳米工艺目前看来运作亦颇顺畅，因此，有机会到2008年第1季度将有超过50%产能转由50纳米工艺产出，这对于2008年第1季度整体NAND Flash价格将再度产生沉重压力。
    
     相对于供给增加，由于到12月部分需求因圣诞节采购旺季告一段落而减缓，像是苹果(Apple)采购势必会出现巨量缩手，在NAND Flash市场供给量激增，但需求面却相对减少情况下，NAND Flash价格自2007年12月起便将进入警戒状态，到2008年第1季度更可能出现较目前平均售价腰斩情况。