Infineon与日月光合作推出更高集成度半导体封装

Infineon与日月光合作推出更高集成度半导体封装

           英飞凌科技股份公司(Infineon)和半导体封装和测试公司日月光半导体制造股份有限公司(ASE)近日宣布，双方将合作推出更高集成度半导体封装，可容纳几乎无穷尽的连接元件。与传统封装(导线架层压)相比，这种新型封装的尺寸要小30%。
       英飞凌通过全新嵌入式WLB技术(eWLB)成功地将晶圆级球阵列封装(WLB)工艺的优越性进行了进一步拓展，即：成本优化生产和增强性能特性。与WLB一样，所有操作都是在晶圆级别上并行进行，标志着晶圆上所有芯片可以同时进行处理。为了更有力地推广这些优势，英飞凌和ASE已经结成合作伙伴关系，将英飞凌开发的这一技术与ASE的封装技术专长融合在一个许可模型中。
       eWLB技术是WLB技术的前瞻性发展，同时完美继承了后者的突出优点，如小型封装尺寸、卓越电气性能和热性能以及最大连接密度。但这一全新技术还大大提高了封装的功能和适用范围。由于eWLB，面向移动通信应用的调制解调器和处理器芯片等复杂半导体芯片要求在最小的尺寸上实现拥有标准接触间距的大量焊接。同时，这些封装上可以提供所需的足够多的焊接触点。在芯片周围实现适当额外布线区意味着该晶圆级封装技术也可以用于全新紧凑型应用。
       全??封装将根据许可模型在英飞凌科技和ASE的工厂生产。首批组件预计将于2008年年底前面市。