DRAM回稳 力晶乐了

DRAM回稳 力晶乐了

     DRAM现货价格再现曙光，512Mb DDRII有效测试颗粒（eTT）均价本周以来大涨近一成，出乎业者原预期，集邦科技（DRAMeXchange）昨（27）日报价，512Mb DDRII有效测试颗粒价格最高冲上0.95美元，年底前可望收复1美元关卡。
    
     业界认为，目前需求确实有比预期好些，但「作帐行情」才是推升价格上扬的主力。
    
     分析师指出，12月整体DRAM合约价已下修逾一成，反应前波现货价大跌影响，如今现货价格回稳，也将激励合约价往后止跌，不仅主攻现货市场的力晶可先喘口气，包括南科、茂德等合约市场比重高的DRAM厂，也将受惠。
    
     DRAM市场进入年底作帐，原厂与模块商受到库存跌价影响，近期不再低价抛售，以期年底财报不用大举提列库存跌价损失，正因如此，这两个月下跌逾五成的DDR，近期出现可观反弹，重新挑战1美元的价位。
    
     但就近几天价格回弹来看，应该与圣诞节前客户降低库存水位，如今假期迈入尾声，陆续回补库存所致，至于能否真的在年底前重新站回1美元大关，目前采「审慎乐观」态度面对。
    
     先前力晶集团董事长黄崇仁表示，明年3月DRAM需求可望回温。
    
     业者表示，农历春节科技产品买气被寄予厚望，大陆1月DRAM及闪存备料，以及2月春节过后的补货行情近期带动市场买气，由于第一季进入晶圆厂岁修阶段，实际产出颗粒将明显短少，加上碰上中国农历年买气出笼，后势价格将审慎乐观。
    
     集邦科技最新报价，512Mb DDRII有效测试颗粒价格离1 美元关卡近在咫尺，均价也站稳0.9美元以上，过去一周来由0.8美元附近起涨，涨幅近一成。
    
     现货价格反弹，业者营运压力大减。力晶（5346）现货市场出货比重最高，将率先受惠。昨天股价上涨0.35元、收12.9 元，成交量近3.7万张。
    
     包括南科（2408）、茂德（5387）、华亚科（3474）等昨天股价也群起收红；先前股价跌深的下游内存模块厂走势更是强劲，威刚（3260）、劲永（6145）都曾攻上涨停，创见（2451）也大涨逾5%。
    
     集邦认为，台湾部分DRAM制造商近期考虑在明年农历年期间进行岁休，可望成为「变相减产」，减少产出幅度约在10%至25%，有助明年第一季DRAM价格反弹。目前已有奇梦达宣布欧洲地区少量减产，将有助减少市场供给，有利价格走势。
    
     DRAM现货价格年底前出现急拉走势，令业者与市场惊艳，期待在2007年结束前，能重新站回1美元大关。
    
     今年DRAM价格走势如溜滑梯一般，以512Mb DDRII有效测试颗粒（eTT）为例，一路从年初的6美元之上，崩跌至0.8美元以下，让市场傻眼，随着年底价格露出曙光，可望再度聚集人气，并成为维系台股大盘走势的要角。
    
     目前看来，市场期待的「业界大减产」，今年是确定看不到了，尽管产能持续开出，但在制程持续微缩至70奈米以下，配合先进制程技术愈加成熟，DRAM厂生产成本仍有下降空间，对于明年的景气走势，业界仍不看淡。
    
     尤其先前价格大幅修正，大量刺激计算机单机搭载DRAM容量，例如半年前大多数单机都是搭载512MB DRAM，第四季起已由1GB容量跃居主流，目前市面上搭载2GB DRAM出货的计算机也愈来愈多，甚至也有3GB容量的单机销售，明年上半年Vista 新版本问世后，可望刺激随机容量增至4GB，有助价格走势。