DRAM与flash新厂投资已非一般业者所能独力负担

DRAM与flash新厂投资已非一般业者所能独力负担

     根据市场研究公司Strategic Marketing Associates发布的报告，DRAM与闪存工厂的建造成本日益上扬，已经不是一般业者所能独力负担，因此业界有整合成少数集团的趋势，以便分担工厂与产品开发的成本。该公司估计Toshiba-SanDisk集团Flash Alliance将会投下高达100亿美元的资金，来装配其最新十二寸厂的设备。Flash Alliance的Fab 4产能可望达到每月21万个。在2004年度，一座十二寸DRAM或NAND厂的每月平均产能约为4万个，2006年底增加到6万个，预测到了2009年度将再提升至8万个。Strategic Marketing Associates估计今年投入生产的工厂价值，大约为310亿美元，其中58%属于DRAM与NAND厂，明年这个比重还会再提高。
    
     以下是各主要集团产能的预测：(1)Samsung在2006年底的每月产能为89万(相当于八寸晶圆)，预测到2010年底将达到176万，其间成长率达99%； (2)Hynix、 Hynix/STMicro、 Hynix/SanDisk在2006年底产能为83万5000，预测到了2010年底将达140万，其间成长率为67%； (3)Toshiba/SanDisk在2006年底产能为42万，预测到2010年底将达到136万，其间成长率高达226%； (4)Qimonda、 Inotera、 Nanya、 Winbond在2006年底产能为55万，预测到2010年底将达130万，其间成长率达134%； (5)Powerchip、 Elpida、 Rexchip在2006年底产能为46万5000，预测到2010年底将达127万，其间成长率高达173%； (6)Micron、 IM Flash在2006年底产能为56万5000，预测到2010年底将达83万5000，其间成长率为48%； (7)ProMOS在2006年底产能为16万，预测到2010年底将达54万，其间成长率高达243%。