ASM将提供32nm工艺以后的高介电常数/金属栅极形成技术

ASM将提供32nm工艺以后的高介电常数/金属栅极形成技术

    　　荷兰ASM International N.V.的子公司美国ASM America开始提供ALD（原子层沉积）技术，以用于32nm工艺以后的CMOS栅极堆栈（英文发布资料）。该技术可使Hf类高介电常数（high-k）栅极绝缘膜，以及作为盖帽层的LaOx和AlOx连续成膜。ASM已将该工艺引入该公司的多个设备用户，此外还将在该公司的研究所提供示范工艺。
    
    　　该工艺的优点是：能够在标准CMOS工艺中导入高介电常数栅极绝缘膜及金属栅极。通过将盖帽层的厚度严格控制在几个原子层以下，在pMOS和nMOS不使用其它栅极金属材料的情况下，也能够设定适当的栅极工作函数。而以往方法是使用其它栅极金属材料来设定pMOS和nMOS的工作函数，这与标准CMOS工艺相比，由于工序数量增加，很容易增加制造成本。
    
    　　美国IBM表示，在该公司首次使用高介电常数和金属栅极的32nm工艺中，“利用栅极绝缘膜和界面工程学，得到了所需的栅极工作函数”（IBM 65nm/32nm项目负责人IBM系统与科技事业部An L.Steegen），据此推测，该工艺可能采用了ASM提供的方法或者与其类似的方法。